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龙图腾网恭喜鑫天虹(厦门)科技有限公司申请的专利减少非辐射复合的微发光二极体的制作方法及制作机台获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744092B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110021882.X，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权减少非辐射复合的微发光二极体的制作方法及制作机台是由林俊成设计研发完成，并于2021-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本减少非辐射复合的微发光二极体的制作方法及制作机台在说明书摘要公布了：本发明为一种减少非辐射复合的微发光二极体的制作方法，提供一蚀刻后的发光二极体磊晶片，其中蚀刻后的发光二极体磊晶片包括复数个蚀刻沟槽及复数个平台构造，平台构造的一蚀刻侧墙包括一第一型半导体层、一活性层及一第二型半导体层的层迭。对蚀刻后的发光二极体磊晶片进行两阶段的原子层沉积，其中两阶段的原子层沉积的温度区间不同。第一原子层沉积可用以修补平台构造的蚀刻侧墙上的悬浮键及缺陷，而第二原子层沉积则用以在平台构造的蚀刻侧墙上形成钝化层。通过本发明所述的制作方法，可减少微发光二极体产生非辐射复合，并可有效提高微发光二极体的发光亮度及发光效率。

本发明授权减少非辐射复合的微发光二极体的制作方法及制作机台在权利要求书中公布了：1.一种减少非辐射复合的微发光二极体的制作方法，其特征在于，包括：提供至少一蚀刻后的发光二极体磊晶片，该蚀刻后的发光二极体磊晶片包括复数个蚀刻沟槽及复数个平台构造，其中该平台构造包括一第一型半导体层、一活性层及一第二型半导体层，该活性层位于该第一型半导体层及该第二型半导体层之间；该蚀刻后的发光二极体磊晶片在一第一温度区间进行一第一原子层沉积；及经过该第一原子层沉积的该蚀刻后的发光二极体磊晶片在一第二温度区间进行一第二原子层沉积，并在该平台构造的至少一蚀刻侧墙上的该第一型半导体层、该活性层及该第二型半导体层形成一钝化层，其中该第一温度区间大于该第二温度区间，该第一原子层沉积的时间大于或远大于该第二原子层沉积的时间；其中该第一原子层沉积用以修补该蚀刻后的发光二极体磊晶片的至少一悬浮键或至少一缺陷；其中该钝化层完整的包覆复数个该蚀刻沟槽。

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