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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695552B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011625169.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构的形成方法是由周飞设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：在所述栅极结构两侧的所述鳍部内形成源漏层；在所述栅极结构侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙还位于部分所述源漏层侧壁和顶部表面；在所述第一区上的所述源漏层表面形成第一保护层，以及位于所述第一保护层上的掩膜层，所述第一保护层内具有第一掺杂离子，以使所述第一掺杂离子掺入到所述第一区上的所述源漏层顶部表面；以所述掩膜层为掩膜，向所述第二区上的所述源漏层顶部表面注入第二掺杂离子。所述第一侧墙可以避免所述第一掺杂离子或第二掺杂离子由所述栅极结构和所述源漏层之间结合不紧密处进入到沟道中，避免所述第一掺杂离子或第二掺杂离子对所述沟道内掺杂离子浓度的影响，提高所形成的器件的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底，所述基底包括第一区和第二区，所述衬底还包括位于所述基底上的鳍部和隔离结构，所述隔离结构还位于所述鳍部的侧壁，且所述隔离结构顶部表面低于所述鳍部顶部表面；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构位于所述鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；在所述栅极结构两侧的所述鳍部内形成源漏层；在所述栅极结构侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙还位于部分所述源漏层侧壁和顶部表面；在所述第一区上的所述源漏层表面形成第一保护层，以及位于所述第一保护层上的掩膜层，所述第一保护层内具有第一掺杂离子，以使所述第一掺杂离子掺入到所述第一区上的所述源漏层顶部表面；以所述掩膜层为掩膜，向所述第二区上的所述源漏层顶部表面注入第二掺杂离子。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号3号楼6楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。