恭喜三菱电机株式会社冈崎拓行获国家专利权
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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116569313B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080107905.2，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体装置及其制造方法是由冈崎拓行设计研发完成，并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体基板1具有相互对置的表面以及背面、和从背面贯通至表面的贯通孔9。金属膜10以包围贯通孔9的方式呈环状地形成于表面。表面电极6具有覆盖贯通孔9以及金属膜10的布线电极11、12，且在金属膜10的外侧与表面接合。背面电极15形成于背面以及贯通孔9，且与布线电极11、12连接。金属膜10的离子化倾向比布线电极11、12低且功函数比布线电极11、12高。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备：半导体基板，具有相互对置的表面以及背面、和从所述背面贯通至所述表面的贯通孔；金属膜，以包围所述贯通孔的方式呈环状地形成于所述表面；表面电极，具有覆盖所述贯通孔以及所述金属膜的布线电极，并且在所述金属膜的外侧与所述表面接合；以及背面电极，形成于所述背面以及所述贯通孔，并与所述布线电极连接，所述金属膜的离子化倾向比所述布线电极低且功函数比所述布线电极高。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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