恭喜上海交通大学陈玉萍获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海交通大学申请的专利一种铌酸锂电光调制器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114609805B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011448550.1，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权一种铌酸锂电光调制器及其制备方法是由陈玉萍;刘一岸;陈险峰;颜雄硕设计研发完成，并于2020-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铌酸锂电光调制器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种铌酸锂电光调制器，包括衬底、基于绝缘体上铌酸锂薄膜LNOI制成的脊型波导、电极、电介质Dielectrics以及覆盖层。其中，铌酸锂薄膜置于一层微米厚度的绝缘体上，绝缘层为二氧化硅,铌酸锂薄膜的厚度为300‑900纳米。首先在铌酸锂薄膜上加工出脊型波导，在脊型波导的两侧各设置有电极，在脊型波导与电极之间的区域填充有电介质。在脊型波导、电极以及电介质的上方设置有覆盖层。电介质的介电常数大于覆盖层的介电常数。本发明还提供了一种制备铌酸锂电光调制器的方法。本发明提供的铌酸锂电光调制器，可在不改变波导和电极结构的前提下，将半波电压降低至原本的14左右，且不引入额外的生产成本。
本发明授权一种铌酸锂电光调制器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铌酸锂电光调制器，包括波导、多个电极、电介质和覆盖层，其特征在于，所述覆盖层被设置在所述波导和所述多个电极的表面，并覆盖所述波导和所述多个电极的表面；所述波导包括脊型波导，所述脊型波导基于绝缘体上铌酸锂薄膜构建而成，所述绝缘体上铌酸锂薄膜设置于半导体或介电体衬底上；所述脊型波导采用光刻和蚀刻工艺在所述铌酸锂薄膜上加工出；所述多个电极被分别设置于所述脊型波导的两侧；所述铌酸锂薄膜为X或Y切；所述电介质设置在所述波导的脊型部分与电极之间的区域；所述电介质的材料包括氮化铝。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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