恭喜三星电子株式会社韩太钟获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112864166B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011344617.7，技术领域涉及：H10B43/50；该发明授权三维半导体存储器件是由韩太钟;高在康;金汶濬;金须钟;李承宪设计研发完成，并于2020-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器件在说明书摘要公布了：公开了一种三维半导体存储器件。该器件可以包括：基板，包括单元阵列区域以及提供在单元阵列区域的端部处的连接区域；电极结构，从单元阵列区域延伸到连接区域，该电极结构包括顺序地堆叠在基板上的电极；提供在电极结构上的上绝缘层；提供在上绝缘层中并沿着电极延伸的第一水平绝缘层；以及提供在连接区域上以穿透上绝缘层和第一水平绝缘层的第一接触插塞。第一水平绝缘层可以包括具有比上绝缘层更好的耐蚀刻性能的材料。
本发明授权三维半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器件，包括：基板，其包括单元阵列区域和在所述单元阵列区域的端部处的连接区域；电极结构，其从所述单元阵列区域延伸到所述连接区域，所述电极结构包括顺序地堆叠在所述基板上的电极；在所述电极结构上的上绝缘层；第一水平绝缘层，其在所述上绝缘层中并沿着所述电极延伸；以及在所述连接区域中的第一接触插塞，其穿透所述上绝缘层和所述第一水平绝缘层，并且延伸至所述电极中的对应电极，其中所述第一水平绝缘层的顶表面在比所述第一接触插塞的顶表面低的高度处，以及其中所述第一水平绝缘层包括具有比所述上绝缘层更高的耐蚀刻性的材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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