恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司于海龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429943B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011187100.1，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由于海龙;荆学珍;张浩;雒建明;张田田;韩静利;孙天杨设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成介质层和位于介质层内的导电层，所述导电层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面，所导电层上具有位于介质层内的凹槽；在所述凹槽的底部表面和侧壁表面形成初始保护层，所述凹槽侧壁表面的初始保护层的厚度小于所述凹槽底部表面的初始保护层的厚度；对所述凹槽侧壁表面的初始保护层和所述凹槽底部表面的部分初始保护层进行改性处理，在凹槽底部表面形成保护层，并在凹槽侧壁表面和凹槽底部的保护层表面形成改性层；去除所述改性层，直至暴露出所述凹槽侧壁的介质层。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成介质层和位于介质层内的导电层，所述导电层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面，所述导电层上具有位于介质层内的凹槽；在所述凹槽的底部表面和侧壁表面形成初始保护层，所述凹槽侧壁表面的初始保护层的厚度小于所述凹槽底部表面的初始保护层的厚度；对所述凹槽侧壁表面的初始保护层和所述凹槽底部表面的部分初始保护层进行改性处理，在凹槽底部表面形成保护层，并在凹槽侧壁表面和凹槽底部的保护层表面形成改性层，所述改性层由所述初始保护层依次经过氧化处理和氮化处理后获得；去除所述改性层，直至暴露出所述凹槽侧壁的介质层。
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