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龙图腾网恭喜南瑞联研半导体有限责任公司申请的专利一种多芯片并联的半桥型IGBT模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112234054B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011169526.4，技术领域涉及：H01L25/18；该发明授权一种多芯片并联的半桥型IGBT模块是由姚二现;谢龙飞;王豹子;李宇柱设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多芯片并联的半桥型IGBT模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括：金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本发明能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异，提高芯片开通一致性，避免某一芯片过早失效。

本发明授权一种多芯片并联的半桥型IGBT模块在权利要求书中公布了：1.一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，包括金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，其特征在于，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔；所述四个IGBT芯片和两个FRD芯片分为两组，每组有1个FRD芯片和2个IGBT芯片，两组芯片按照FDR芯片靠近金属基板内侧、IGBT芯片靠近金属基板外侧的规律分别排列在绝缘陶瓷衬板的左右两侧；绝缘陶瓷衬板任一侧相邻的两个IGBT芯片的发射极通过发射极互连线连接在一起；IGBT芯片的集电极和FRD芯片的阴极焊接在绝缘陶瓷衬板上的集电极铜箔上；IGBT芯片的集电极通过键合铝线蔟与绝缘陶瓷衬板上的发射极铜箔相连，FRD芯片的阳极通过键合线蔟与绝缘陶瓷衬板上的发射极铜箔相连；绝缘陶瓷衬板上的辅助发射极铜柱焊接铜箔通过键合线连接发射极铜箔。

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