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龙图腾网恭喜无锡华润上华科技有限公司申请的专利分离栅沟槽MOSFET的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388438B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011137776.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权分离栅沟槽MOSFET的制造方法是由卞铮;肖魁;方冬设计研发完成，并于2020-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本分离栅沟槽MOSFET的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种分离栅沟槽MOSFET的制造方法，包括：提供基底；于基底的上表面形成图形化氧化物掩膜层；基于图形化氧化物掩膜层刻蚀基底，以于基底内形成第一沟槽；于第一沟槽的内形成第一栅氧化层和屏蔽栅极多晶硅；形成隔离材料层；刻蚀隔离材料层，于第一沟槽的内部剩余部分隔离材料层以作为隔离结构；于第一沟槽的内形成第二栅氧化层和栅极多晶硅；对基底进行离子注入，以于第一沟槽两侧形成源区。本申请采用图形化氧化物掩膜层代替传统的ONO硬掩膜层，因此在后继的工艺处理过程中自由度相对较高，避免了SiN在线沾污的风险。

本发明授权分离栅沟槽MOSFET的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种分离栅沟槽MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：提供基底；于所述基底的上表面形成图形化氧化物掩膜层，所述图形化氧化物掩膜层包括开口图形，所述开口图形定义出第一沟槽的形状及位置；基于所述图形化氧化物掩膜层图形化所述基底，以于所述基底内形成第一沟槽；于所述第一沟槽内形成第一栅氧化层和屏蔽栅极多晶硅，所述屏蔽栅极多晶硅的上表面低于所述基底的上表面，且所述第一栅氧化层形成于所述屏蔽栅极多晶硅与所述第一沟槽的内壁之间；形成隔离材料层，所述隔离材料层填充所述第一沟槽并覆盖所述基底；刻蚀所述隔离材料层，于所述第一沟槽的内部剩余部分隔离材料层以作为隔离结构，所述隔离结构的上表面低于所述基底的上表面；于所述第一沟槽内形成第二栅氧化层和栅极多晶硅，所述栅极多晶硅位于所述隔离结构的上表面，且所述第二栅氧化层形成于所述栅极多晶硅与所述第一沟槽的内壁之间；对所述基底进行离子注入，以于所述第一沟槽两侧形成源区；其中，刻蚀去除部分所述隔离材料层前，所述第一沟槽的内部的所述隔离材料层的厚度大小为T1；刻蚀去除部分所述隔离材料层后，所述第一沟槽的内部的隔离结构的厚度大小为T2；所述第一沟槽的沟槽开口宽度为W；T1T2+0.5W。

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