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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112837725B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010915165.7，技术领域涉及：G11C11/406；该发明授权半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法是由郑允敬;秋喆焕设计研发完成，并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法。所述半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码ECC引擎、刷新控制电路和控制逻辑电路。所述存储单元阵列包括存储单元行。所述刷新控制电路对所述存储单元行执行刷新操作。所述控制逻辑电路控制所述ECC引擎，使得所述ECC引擎在读取操作期间通过对至少一个第一存储单元行中的子页面执行ECC解码来生成错误生成信号。所述控制逻辑电路将所述第一存储单元行的错误发生计数与阈值进行比较，并基于所述比较向所述刷新控制电路提供所述第一存储单元行的第一地址作为错误地址。所述刷新控制电路增加在刷新时段期间在所述第一存储单元行中执行的刷新操作的次数。

本发明授权半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元行，所述多个存储单元行均包括多个易失性存储单元；纠错码引擎；刷新控制电路，所述刷新控制电路被配置为对所述多个存储单元行执行刷新操作；以及控制逻辑电路，所述控制逻辑电路被配置为基于来自外部存储控制器的命令和地址来控制所述纠错码引擎，其中，所述控制逻辑电路还被配置为控制所述纠错码引擎，使得所述纠错码引擎在读取操作期间通过对所述存储单元行中的至少一个第一存储单元行中的子页面执行纠错码解码操作来生成错误生成信号，其中，所述控制逻辑电路还被配置为将所述第一存储单元行的错误发生计数与阈值进行比较，并基于所述比较向所述刷新控制电路提供所述第一存储单元行的第一地址作为错误地址，其中，所述错误发生计数是基于所述错误生成信号而生成的，并且其中，所述刷新控制电路还被配置为基于所述错误发生计数来增加在刷新时段期间在所述第一存储单元行中执行的刷新操作的次数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。