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龙图腾网恭喜株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种圆滑沟槽的制作方法及圆滑沟槽结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121639B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010881132.5，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种圆滑沟槽的制作方法及圆滑沟槽结构是由王志成;龚芷玉;刘启军;罗烨辉;周才能;宋瓘;曹申;赵艳黎;郑昌伟;李诚瞻;罗海辉设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种圆滑沟槽的制作方法及圆滑沟槽结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种圆滑沟槽的制作方法及圆滑沟槽结构，所述制作方法包括：首先由经所述掩膜层，利用以各向异性为主的第一次干法刻蚀蚀刻所述半导体晶圆，以形成侧壁陡直和底部平滑的沟槽结构，然后去除所述第一层掩膜，并在没有掩膜层的保护情况下，利用以各向同性为主的第二次干法刻蚀蚀刻所述半导体晶圆，以圆滑所述沟槽的顶部和底部，最终形成侧壁陡直、顶部和底部圆滑的沟槽。因此，本发明提供的沟槽制作方法工艺步骤简单，能够极大地提高工艺效率和节约成本，本发明提供的圆滑沟槽结构既能够提升器件性能和可靠性，又可以为后续沟槽内的生长及填充工艺带来便捷。

本发明授权一种圆滑沟槽的制作方法及圆滑沟槽结构在权利要求书中公布了：1.一种圆滑沟槽的制作方法，其特征在于，包括：在半导体晶圆的第一表面上形成图案化的掩膜层，所述掩膜层裸露所述半导体晶圆的沟槽区域，以所述沟槽区域的表面作为蚀刻起始面进行第一次干法蚀刻工艺，通过调整所述第一次干法蚀刻参数，使得所述第一次干法蚀刻工艺的蚀刻方式以各向异性为主，以在所述半导体晶圆的沟槽区域形成侧壁陡直和底部平滑的沟槽，去除所述掩膜层，以所述第一表面作为蚀刻起始面进行第二次干法蚀刻，通过调整所述第二次干法蚀刻参数，使得所述第二次干法蚀刻工艺的蚀刻方式以各向同性蚀刻为主，使得所述沟槽的上部和底部变得成圆滑结构；采用等离子蚀刻机进行所述第一次干法蚀刻，调整所述第一次干法蚀刻参数，使得所述第一次干法蚀刻工艺的蚀刻方式以各向异性为主的步骤包括：在第一阶段期间，向所述等离子蚀刻机的反应室中的通入第一组蚀刻气体，并设定所述第一组蚀刻气体中的各种气体的气体流量，以在所述第一阶段期间，圆滑化所述沟槽底部与所述沟槽侧壁的交界区域，以及在所述第一阶段期间，将所述反应室的压力设置为第一预设压力，并将所述等离子蚀刻机的上电极功率和下电极设置为第一预设功率和第二预设功率，以使得所述第一次干法蚀刻的蚀刻方式以物理蚀刻为主，以在所述第一阶段期间形成侧壁陡直的沟槽，在第二阶段期间，向所述反应室通入第二组反应气体，并设定所述第二组反应气体中的各种气体的流量为预设流量，将所述反应室的压力设置为第二预设压力，所述上电极的功率和下电极的功率设置为第三预设功率和第四预设功率，以在所述第二阶段期间圆滑化所述沟槽的底部，其中，所述第二预设压力大于第一预设压力，所述第四预设功率小于所述第二预设功率。

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