恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈昱寰获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利芯片封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010869951.8，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权芯片封装结构及其形成方法是由陈昱寰;许国经;陈承先设计研发完成，并于2020-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：提供芯片封装结构及其形成方法。此方法包含提供布线基底。此方法包含在第一焊垫上方依序形成含镍层和含金层。此方法包含形成导电保护层覆盖含镍层上方的含金层。此方法包含经由导电凸块和围绕导电凸块的助焊剂层将芯片接合至布线基底。导电凸块在第二焊垫和芯片之间。此方法包含在导电保护层覆盖含镍层的同时移除助焊剂层。
本发明授权芯片封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构的形成方法，包含：提供一布线基底，包括一基底、一第一焊垫、一第二焊垫和一绝缘层，其中该第一焊垫和该第二焊垫分别在该基底的一第一表面和一第二表面上方，该绝缘层在该第一表面上方并部分地覆盖该第一焊垫，并且该第一焊垫比该第二焊垫宽；在该第一焊垫上方依序形成一含镍层和一含金层；形成一导电保护层覆盖该含镍层上方的该含金层，其中该导电保护层、该含金层和该含镍层由不同的材料制成，并且该绝缘层的一第一顶表面与该第一焊垫的一第二顶表面之间的一第一距离大于该导电保护层的一第三顶表面与该第二顶表面之间的一第二距离；经由一第一导电凸块和围绕该第一导电凸块的一第一助焊剂层将一芯片接合至该布线基底，其中该第一导电凸块在该第二焊垫和该芯片之间并连接该第二焊垫和该芯片；以及在该导电保护层覆盖该含镍层的同时，移除该第一助焊剂层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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