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龙图腾网恭喜株式会社斯库林集团申请的专利基板处理装置、基板处理方法及半导体制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111755354B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010111789.3，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权基板处理装置、基板处理方法及半导体制造方法是由伊东哲生;菊本宪幸;井上一树;山田邦夫设计研发完成，并于2020-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基板处理装置、基板处理方法及半导体制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法及半导体制造方法。基板处理装置包括基板保持部、腔室、第一气体供给部、第二气体供给部及控制部。腔室包括侧壁部及顶壁部，收容基板保持部。第一气体供给部配置于顶壁部，朝向基板保持部所处的一侧供给第一气体。第二气体供给部收容于腔室，对腔室内供给第二气体。控制部对第一气体供给部13与第二气体供给部41进行控制。第二气体是与氧气不同，并且与氧气的同素异形体不同的气体。第二气体供给部包括送风口部。送风口部位于比基板保持部对基板的保持位置更靠铅垂方向上侧的位置，并且位于比基板保持部更靠水平方向外侧的位置。

本发明授权基板处理装置、基板处理方法及半导体制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基板处理装置，对基板进行处理，所述基板处理装置包括：基板保持部，保持所述基板；腔室，包括配置于所述基板保持部的周围的侧壁部、及配置于所述基板保持部的上方的顶壁部，收容所述基板保持部；第一气体供给部，配置于所述顶壁部，朝向所述基板保持部所处的一侧供给第一气体；第二气体供给部，收容于所述腔室，对所述腔室内供给第二气体；以及控制部，对所述第一气体供给部及所述第二气体供给部进行控制，并且所述第二气体是与氧气不同，并且与氧气的同素异形体不同的气体，所述第二气体供给部包括用于将所述第二气体供给至所述腔室内的送风口部，所述送风口部位于比所述基板保持部对所述基板的保持位置更靠铅垂方向上侧的位置，并且位于比所述基板保持部更靠水平方向外侧的位置，所述第二气体供给部通过所述送风口部以沿所述侧壁部向铅垂方向上方流动的方式向所述顶壁部供给所述第二气体。

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