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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111816694B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010107098.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法是由坂田敏明设计研发完成，并于2020-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供能够抑制由制造偏差引起的耐压降低的超结半导体装置和超结半导体装置的制造方法。半导体装置具有终端结构部40和供电流流通的有源区30。在第一导电型的半导体基板1的正面，设置有第一导电型的第一半导体层2。在第一半导体层2的有源区30的表面，设置有由在与正面平行的面中重复交替地配置有第一导电型的第一柱3a和第二导电型的第二柱4a的第一并列pn结构。在终端结构部40，设置有重复交替地配置有第一导电型的第三柱3b和第二导电型的第四柱4b的第二并列pn结构，在第二并列pn结构的表面，设置有包括彼此分离的多个区的第二导电型的第一半导体区17。

本发明授权超结半导体装置及超结半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超结半导体装置，其特征在于，具有终端结构部和供电流流通的有源区，所述终端结构部配置于所述有源区的外侧且形成有包围所述有源区的周围的耐压结构，所述超结半导体装置具备：第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一半导体层，其设置于所述半导体基板的正面上，且杂质浓度比所述半导体基板的杂质浓度低；第一并列pn结构，其设置于所述第一半导体层的上表面，并在与所述正面平行的面中重复交替地配置有第一导电型的第一柱和第二导电型的第二柱，且设置于所述有源区；第二并列pn结构，其设置于所述第一半导体层的上表面，并在与所述正面平行的面中重复交替地配置有第一导电型的第三柱和第二导电型的第四柱，且设置于所述终端结构部；第二导电型的第一半导体区，其设置于所述终端结构部的所述第二并列pn结构的表面，且包括彼此分离的多个区；第二导电型的第二半导体区，其设置于所述有源区的所述第一并列pn结构的所述第二导电型的第二柱的表面；第一导电型的第三半导体区，其选择性地设置于所述第二半导体区的相对于所述半导体基板侧为相反侧的表面层；栅极绝缘膜，其与所述第二半导体区接触；栅电极，其设置于所述栅极绝缘膜的与所述第二半导体区接触的面的相反侧的表面；以及绝缘膜，其设置于所述第一半导体区和所述第一半导体层的表面，在所述第一半导体区与所述绝缘膜之间具备第一导电型的第四半导体区。

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