恭喜铠侠股份有限公司武木田秀人获国家专利权
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龙图腾网恭喜铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112542192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010105340.6，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权半导体存储装置是由武木田秀人设计研发完成，并于2020-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1单元区域，包含多个存储单元；第2单元区域，包含多个存储单元；连接区域，夹在所述第1单元区域与所述第2单元区域间；以及行解码器，经由所述连接区域，将电压传输到所述第1及第2单元区域的字线。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备：第1单元区域，具备沿着第1方向相互有间隔地积层的多个第1导电体层、及在所述多个第1导电体层内在所述第1方向上延伸的第1半导体层，且所述多个第1导电体层与所述第1半导体层的交点分别构成存储单元；第2单元区域，具备沿着所述第1方向相互有间隔地积层的多个第2导电体层、及在所述多个第2导电体层内在所述第1方向上延伸的第2半导体层，且所述多个第2导电体层与所述第2半导体层的交点分别构成存储单元；以及第1连接区域，在与所述第1方向交叉的第2方向上配置在所述第1单元区域与所述第2单元区域之间，且具备第1桥接区域及第1阶梯区域，在所述第1桥接区域，沿着所述第1方向相互有间隔地积层的多个第3导电体层分别电连接所述多个第1导电体层中的1层及所述多个第2导电体层中的1层，在所述第1阶梯区域，所述多个第3导电体层分别具备用来设置第1接触插塞的阶台。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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