恭喜中国科学院上海技术物理研究所鞠国豪获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种级联雪崩倍增光电二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111223956B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911093515.X，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种级联雪崩倍增光电二极管是由鞠国豪;程正喜;陈永平设计研发完成，并于2019-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种级联雪崩倍增光电二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种级联雪崩倍增光电二极管，在衬底上有衬底氧化层，在衬底氧化层上从左到右依次有p型电极层I、p型光吸收层、电场调控层I、雪崩倍增层I、n型过渡层、低杂质浓度的电子行进层、电场调控层II、雪崩倍增层II、n型电极层，p型电极层II内嵌于低杂质浓度的电子行进层区域内，衬底氧化层上依次排列的各层被电场隔离环层环绕包围，电场隔离环层外侧区域有本征层，p型电极层I上有p电极I，p型电极层II上有p电极II，n型电极层上有n电极的构造。本专利的优点在于：本发明构造避免曲率效应，消除边缘击穿，提高稳定性，同时实现多级级联雪崩倍增单片集成，获得很高的稳定增益，且有效抑制空穴雪崩引起的噪声。
本发明授权一种级联雪崩倍增光电二极管在权利要求书中公布了：1.一种级联雪崩倍增光电二极管，其特征在于，在衬底17上有衬底氧化层16，在衬底氧化层16上从左到右依次有p型电极层I4、p型光吸收层5、电场调控层I6、雪崩倍增层I7、n型过渡层8、低杂质浓度的电子行进层9、电场调控层II12、雪崩倍增层II13、n型电极层14，p型电极层II11内嵌于低杂质浓度的电子行进层9区域内，衬底氧化层16上依次排列的各层被电场隔离环层2环绕包围，电场隔离环层2外侧区域有本征层1，p型电极层I4上有p电极I3，p型电极层II11上有p电极II10，n型电极层14上有n电极15。
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