恭喜台湾积体电路制造股份有限公司昆杜·阿密特获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体元件的布局、系统与半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110970415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910893239.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体元件的布局、系统与半导体元件是由昆杜·阿密特;洪照俊设计研发完成，并于2019-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件的布局、系统与半导体元件在说明书摘要公布了：本申请是提供一种半导体元件的布局，其储存在非暂时性计算机可读媒体中。此布局包括在主动元件区域中的第一晶体管及在保护环区域中的第二晶体管。第一晶体管包括第一通道区域、跨越第一通道区域的第一栅极结构，及在第一通道区域的相对两侧上的第一源极区域及第一漏极区域。第二晶体管包括第二通道区域、跨越第二通道区域的第二栅极结构，及在第二通道区域的相对两侧上的第二源极区域及第二漏极区域。第二通道区域包括半导体材料，半导体材料具有比第一通道区域的半导体材料高的热导率。
本发明授权半导体元件的布局、系统与半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的布局，其特征在于，该布局是储存在一非暂时性计算机可读媒体中且包括：一第一晶体管，位在一主动元件区域中，该第一晶体管包括在一第一半导体鳍片中的一第一通道区域、跨越该第一通道区域的一第一栅极结构，以及在该第一通道区域的相对两侧上的该第一半导体鳍片中的一第一源极区域及一第一漏极区域；以及一第二晶体管，位在一保护环区域中，该第二晶体管包括在一第二半导体鳍片中的一第二通道区域、跨越该第二通道区域的一第二栅极结构，以及在该第二通道区域的相对两侧上的该第二半导体鳍片中的一第二源极区域及一第二漏极区域，其中该第二通道区域包括一半导体材料，该半导体材料具有比该第一通道区域的一半导体材料高的一热导率。
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