恭喜台湾积体电路制造股份有限公司黄俊贤获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路器件及用于制作集成电路器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834297B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910785179.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权集成电路器件及用于制作集成电路器件的方法是由黄俊贤;陈怡利;陈品彣;徐元贞;林威戎;张志维;蔡明兴设计研发完成，并于2019-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件及用于制作集成电路器件的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及集成电路器件及用于制作集成电路器件的方法。一种方法包括形成第一金属特征，在第一金属特征上方形成电介质层，蚀刻电介质层以形成开口，其中，第一金属特征的顶表面通过开口暴露，以及对第一金属特征的顶表面执行第一处理。第一处理是通过开口执行的，并且第一处理是使用第一工艺气体执行的。在第一处理之后，通过开口执行第二处理，并且第二处理是使用不同于第一工艺气体的第二工艺气体执行的。在开口中沉积第二金属特征。
本发明授权集成电路器件及用于制作集成电路器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制作集成电路器件的方法，包括：形成第一金属特征；在所述第一金属特征上方形成电介质层；蚀刻所述电介质层以形成开口，其中，所述第一金属特征的顶表面通过所述开口暴露；对所述第一金属特征的所述顶表面执行第一处理，其中，所述第一处理是通过所述开口执行的，并且所述第一处理是使用第一工艺气体执行的；在所述第一处理之后，执行第二处理，其中，所述第二处理是通过所述开口执行的，并且所述第二处理是使用不同于所述第一工艺气体的第二工艺气体执行的；以及在所述开口中沉积第二金属特征；其中，所述第一处理是使用包括如下各项的所述第一工艺气体执行的：含硅工艺气体、含硼工艺气体、含磷工艺气体、或其组合。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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