恭喜索尼公司松本光市获国家专利权
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龙图腾网恭喜索尼公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112201626B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010965994.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体装置是由松本光市设计研发完成，并于2011-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置，其包括第一导电型晶体管和第二导电型晶体管，其中，第一导电型和第二导电型彼此不同，第一导电型晶体管和第二导电型晶体管每一者均包括：ⅰ包括多个金属层的金属栅极电极，以及ⅱ金属栅极电极侧壁间隔部，第一导电型晶体管的金属栅极电极的侧壁与第一导电型晶体管的金属栅极电极的相对应的侧壁间隔部之间的距离大于第二导电型晶体管的金属栅极电极的侧壁与第二导电型晶体管的金属栅极电极的相对应的侧壁间隔部之间的距离，并且第一导电型晶体管的金属栅极电极的栅极长度与第二导电型晶体管的金属栅极电极的栅极长度不同。本发明可以提供具有微细结构并能够使栅极长度最优化的半导体装置。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管每一者均包括：栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在基体上；金属栅极电极，所述金属栅极电极形成在所述栅极绝缘膜上；以及侧壁间隔部，所述侧壁间隔部形成在所述金属栅极电极的侧壁处，其中，在所述第一晶体管和所述第二晶体管任意一者中，在所述金属栅极电极的所述侧壁与所述侧壁间隔部的内壁之间形成有偏移间隔部，所述第一晶体管和所述第二晶体管每一者均包括具有鳍的鳍型场效应晶体管，所述偏移间隔部仅形成在所述侧壁间隔部的内壁的下部处且被形成得直至高于所述鳍的上部的位置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索尼公司，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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