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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件化学气相沉积成膜厚度的控制系统及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119685809B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510206169.0，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权半导体器件化学气相沉积成膜厚度的控制系统及控制方法是由李维泽;李泽育;冉薇设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件化学气相沉积成膜厚度的控制系统及控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供半导体器件化学气相沉积成膜厚度的控制系统及控制方法，控制系统包括反应炉，用以对其内部的晶圆进行化学气相沉积处理；以及控制装置，用以在反应炉内，对晶圆进行化学气相沉积处理的成膜速度、成膜时间进行设定；椭扁仪，用以对晶圆经过化学气相沉积处理后的成膜厚度进行量测；以及计算装置，用以在初始成膜速度、初始成膜时间下，反应炉对当前多批次晶圆进行化学气相沉积处理后，获取椭扁仪对当前多批次晶圆量测的成膜厚度，并对当前多批次晶圆的成膜厚度及其对应的芯片密度进行统计。本发明可准确了解晶圆在化学气相沉积处理后的负载效应，从而能够有效提升晶圆表面的成膜质量与可靠度。

本发明授权半导体器件化学气相沉积成膜厚度的控制系统及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件化学气相沉积成膜厚度的控制系统，其特征在于，包括：化学气相沉积设备，包括：反应炉，用以对其内部的晶圆进行化学气相沉积处理；以及控制装置，用以在所述反应炉内，对晶圆进行化学气相沉积处理的成膜速度、成膜时间进行设定；椭扁仪，用以对晶圆经过化学气相沉积处理后的成膜厚度进行量测，其中，所述成膜厚度与所述成膜速度、所述成膜时间相关；以及计算装置，用以在初始成膜速度、初始成膜时间下，所述反应炉对当前多批次晶圆进行化学气相沉积处理后，获取所述椭扁仪对所述当前多批次晶圆量测的成膜厚度，并对所述当前多批次晶圆的成膜厚度及其对应的芯片密度进行统计，以及根据所述初始成膜时间、所述当前多批次晶圆的成膜厚度及其对应的芯片密度，生成成膜数据表；其中，所述当前多批次晶圆的不同晶圆上预设有不同的芯片密度；其中，所述计算装置对于其他批次晶圆，根据所述成膜数据表，保持所述初始成膜速度，计算出所述其他批次晶圆的芯片密度对应的成膜时间，以对所述其他批次晶圆进行化学气相沉积处理，使得所述其他批次晶圆的成膜厚度在预设的目标膜厚范围内。

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