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恭喜中科芯磁科技(珠海)有限责任公司韩小炜获国家专利权

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龙图腾网恭喜中科芯磁科技(珠海)有限责任公司申请的专利单支路RRAM电阻网络的阻抗匹配电路及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119652284B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510176271.0,技术领域涉及:H03H17/00;该发明授权单支路RRAM电阻网络的阻抗匹配电路及方法是由韩小炜;吴利华;赵凯;崔冰设计研发完成,并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

单支路RRAM电阻网络的阻抗匹配电路及方法在说明书摘要公布了:本发明涉及集成电路技术领域,提供一种单支路RRAM电阻网络的阻抗匹配电路及方法,其中,单支路RRAM电阻网络的阻抗匹配电路,包括正极阻抗校准模块、负极阻抗校准模块、用户阻抗校准模块及DCI调节模块,其特征在于,所述正极阻抗校准模块、负极阻抗校准模块、用户阻抗校准模块均包括RRAM电阻网络结构;所述正极阻抗校准模块包括精确匹配电阻、开关管、后级比较器及所述RRAM电阻网络结构;负极阻抗校准模块包括精确匹配电阻、开关管、后级比较器及所述RRAM电阻网络结构;用户阻抗校准模块包括开关管及RRAM电阻网络结构。本发明对阻抗匹配的电阻网络进行电路简化,节省芯片面积占用,且节约电路功耗。

本发明授权单支路RRAM电阻网络的阻抗匹配电路及方法在权利要求书中公布了:1.单支路RRAM电阻网络的阻抗匹配电路,包括正极阻抗校准模块、负极阻抗校准模块、用户阻抗校准模块及DCI调节模块,其特征在于,所述正极阻抗校准模块、负极阻抗校准模块、用户阻抗校准模块均包括RRAM电阻网络结构;所述正极阻抗校准模块包括精确匹配电阻、开关管、后级比较器及所述RRAM电阻网络结构,用于根据所述DCI调节模块的调节信息,对所述正极阻抗校准模块中的RRAM电阻网络结构中的电阻连接状态进行调节,记录调节过程中的正极阻抗调节信号;所述负极阻抗校准模块包括精确匹配电阻、开关管、后级比较器及所述RRAM电阻网络结构,用于根据所述DCI调节模块的调节信息,对所述负极阻抗校准模块中的RRAM电阻网络结构中的电阻连接状态进行调节,记录调节过程中的负极阻抗调节信号;所述用户阻抗校准模块包括开关管及RRAM电阻网络结构,用于根据所述正极阻抗调节信号及负极阻抗调节信号调节所述用户阻抗校准模块中的RRAM电阻网络结构的电阻,实现预构建的FPGA与外部电路的阻抗匹配。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中科芯磁科技(珠海)有限责任公司,其通讯地址为:519070 广东省珠海市香洲区前河北路68号之环宇城写字楼7层08单元;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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