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龙图腾网恭喜博越微电子(江苏)有限公司申请的专利一种基于三星4nm的网络layout设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119623408B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510169804.2，技术领域涉及：G06F30/394；该发明授权一种基于三星4nm的网络layout设计方法是由谢堃;张冬青设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于三星4nm的网络layout设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于三星4nm的网络layout设计方法，涉及半导体布局设计技术领域。包括选取两层topmetal构建电源地网络；将电源层和地层进行重叠设置，所述电源层接电源形成低阻抗电源网络，所述地层接地形成低阻抗地网络；将电源层和地层之间形成均匀分布的电源地稳压电容，所述地层连接地网络；本发明通过设计的两层topmetal重叠设置，形成了均匀分布的低阻抗电源地网络和稳压电容，提供低阻抗groundshielding网络，有效降低了噪声干扰；构建电源地网络，具有较低的阻抗，提供更高质量的电源地，通过大量均匀分布的屏蔽网络，更好地抑制电磁干扰，保护电路免受外部电磁干扰的影响。

本发明授权一种基于三星4nm的网络layout设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于三星4nm的网络layout设计方法，其特征在于：包括如下步骤：选取两层topmetal构建电源地网络，所述两层topmetal包括电源层和地层；将电源层和地层进行重叠设置，所述电源层接电源形成低阻抗电源网络，所述地层接地形成低阻抗地网络；将电源层和地层之间形成均匀分布的电源地稳压电容，所述地层连接地网络；将电源层任意cell直接向下通过通孔连接至器件形成地网络，再将地层通过定制的通孔cell向下连接至器件形成电源网络；在地层连接地网络之后，包括：采用噪声隔离技术，在IP电路和内部逻辑块之间设置隔离区，并在隔离区内布置金属填充，吸收和衰减噪声信号；所述采用噪声隔离技术，在IP电路和内部逻辑块之间设置隔离区，并在隔离区内布置金属填充，具体包括：获取地层和地网络的连接请求，判断是否需要进行噪声隔离处理，若需要，则执行以下步骤；否则，直接建立网络连接；根据预设的噪声隔离规则，确定在IP电路和内部逻辑块之间设置隔离区的位置和大小，并将隔离区的参数信息存储至隔离区配置数据库中；从金属填充材料数据库中获取多种类型的金属填充材料的特性参数，通过比较材料的吸收噪声能力和衰减信号能力，选择金属填充材料；将选定的金属填充材料的参数信息与隔离区配置数据库中的隔离区参数进行匹配，生成隔离区的详细设计方案；根据隔离区的详细设计方案，在IP电路和内部逻辑块之间的指定位置构建隔离区，并在隔离区内部填充选定的金属材料，形成完整的噪声隔离结构；在地层与地网络建立连接后，实时监测噪声信号的强度，并将监测数据传输至噪声分析模块进行分析，判断噪声隔离结构的隔离效果；当噪声隔离效果未达到预设的降噪阈值时，则触发隔离区优化机制。

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