恭喜深圳市云在上半导体材料有限公司;湖北云在上半导体有限公司张桂华获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市云在上半导体材料有限公司;湖北云在上半导体有限公司申请的专利一种碳化硅聚焦环及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510168727.9，技术领域涉及：H01J37/21；该发明授权一种碳化硅聚焦环及其制备方法是由张桂华;刘畅设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅聚焦环及其制备方法在说明书摘要公布了：一种碳化硅聚焦环及其制备方法，属于聚焦环技术领域。所述碳化硅聚焦环用于对进行等离子体处理的晶圆片进行载置，包括：内环，包括两个分割半环，两个分割半环之间通过拼接结构相连，所述拼接结构包括分别设置在两个分割半环上的凸部和凹部，当两个分割半环位于拼接到位的位置时，所述凸部和凹部之间留有一定间隙；外环，设置在所述内环的外周且与所述内环同心配置，所述外环的热膨胀系数小于所述内环的热膨胀系数。本申请实现了在碳化硅聚焦环工作在等离子体处理的环境中时，可以利用其发生的热膨胀变形来减小聚焦环与静电吸盘之间的间隙，避免了沉积物的附着；同时由于拼接结构的设置，可在一定程度上减少由于热膨胀而引发的应力或裂纹问题。
本发明授权一种碳化硅聚焦环及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅聚焦环，用于对进行等离子体处理的晶圆片进行载置，其特征在于，包括：内环（1），包括两个分割半环，两个分割半环之间通过拼接结构（3）相连，所述拼接结构（3）包括分别设置在两个分割半环上的凸部（31）和凹部（32），当两个所述分割半环位于拼接到位的位置时，所述凸部（31）和凹部（32）之间留有一定间隙（4），内环（1）的碳化硅含量大于85%；外环（2），设置在所述内环（1）的外周且与所述内环（1）同心配置，所述外环（2）的热膨胀系数小于所述内环（1）的热膨胀系数；其中，内环的外周面与外环的内周面接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市云在上半导体材料有限公司;湖北云在上半导体有限公司，其通讯地址为：518106 广东省深圳市光明区马田街道新庄社区大围平塘A5栋202；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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