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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利用于气体组分分析的压电谐振式MEMS光谱芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119619286B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510151637.9，技术领域涉及：G01N29/02；该发明授权用于气体组分分析的压电谐振式MEMS光谱芯片是由闫晓剑;解云飞;张晓升;涂程;龚天巡;王彦;黄文设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于气体组分分析的压电谐振式MEMS光谱芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及微机电技术领域及气体检测技术领域，具体为用于气体组分分析的压电谐振式MEMS光谱芯片，包括硅衬底，硅衬底为镂空的平板，其上形成有第一支撑梁和第二支撑梁，第一支撑梁和第二支撑梁交叉排布呈十字型，其中第一支撑梁上设有两个TPoS谐振器，两个TPoS谐振器关于十字型的交叉点对称，均包括自下而上依次设置的掺杂硅层、压电薄膜、以及顶部电极，顶部电极上设有自组装金纳米颗粒阵列，且该阵列中的金纳米颗粒为经官能团修饰的自组颗粒。本发明通过设置两个谐振与自组装金纳米颗粒阵列实现了对待检测气体的质量定量分析、以及对待检检测气体组分的精准分析。

本发明授权用于气体组分分析的压电谐振式MEMS光谱芯片在权利要求书中公布了：1.用于气体组分分析的压电谐振式MEMS光谱芯片，包括硅衬底，其特征在于：所述硅衬底为镂空的平板，其上形成有第一支撑梁和第二支撑梁，第一支撑梁和第二支撑梁交叉排布呈十字型结构，第一支撑梁上设有输入激励TPoS谐振器和输出检测TPoS谐振器；输入激励TPoS谐振器与输出检测TPoS谐振器结构相同，且两者关于十字型结构的交叉点对称分布；两个TPoS谐振器包括自下而上依次设置的掺杂硅、压电薄膜、以及顶部电极；顶部电极上设有自组装金属纳米颗粒阵列，自组装金属纳米颗粒阵列与顶部电极上方紧密贴合；所述硅衬底非镂空区域上表面，与第二支撑梁其中一端端部对应处设有第一电气连接与传导结构、与第二支撑梁另一端端部对应处设有第二电气连接与传导结构，所述第一电气连接与传导结构包括输入金属电极盘、第一接地金属电极盘与输入金属传输线，第一接地金属电极盘与输入金属电极盘并排设置，输入金属传输线的一端连接输入激励TPoS谐振器顶部电极，另一端连接输入金属电极盘；第二电气连接与传导结构包括输出金属电极盘、第二接地金属电极盘与输出金属传输线；第二接地金属电极盘与输出金属电极盘同样并排设置，输出金属传输线的一端连接输出检测TPoS谐振器顶部电极，另一端连接输出金属电极盘。

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