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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利一种氮化镓基器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584582B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510131104.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种氮化镓基器件及其制备方法是由周峰;俞亦腾;荣玉;陆海;徐尉宗;周东;任芳芳设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓基器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种氮化镓基器件及其制备方法，属于半导体技术领域。包括衬底层、氮化镓层、势垒层，势垒层上设置有栅极P型氮化镓层和第一栅极金属层。栅极P型氮化镓层的两侧设置有源极欧姆金属层、漏极欧姆金属层，以及各自上方连接的源极场板金属层和漏极场板金属层，栅极P型氮化镓层和漏极欧姆金属层之间设置有空穴注入结构，空穴注入结构包括矩形P型氮化镓层、第二栅极金属层，以及穿设于矩形P型氮化镓层和第二栅极金属层中部并连接氮化镓层的欧姆金属柱，欧姆金属柱与漏极场板金属层连接。通过引入该特殊结构，可实现空穴的注入，进而有效地释放硬开关工作时器件表面陷阱和缓冲层陷阱中俘获的电子，提升器件长期工作的可靠性。

本发明授权一种氮化镓基器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基器件，其特征在于，包括自下而上设置的衬底层（1）、氮化镓层（2）、势垒层（3），所述势垒层（3）上设置有呈条状且沿第一方向延伸的栅极P型氮化镓层（4），所述栅极P型氮化镓层（4）上设置有第一栅极金属层（41），所述栅极P型氮化镓层（4）的两侧设置有与所述氮化镓层（2）连接的源极欧姆金属层（5）和漏极欧姆金属层（6），所述源极欧姆金属层（5）上方连接设置有源极场板金属层（51），所述漏极欧姆金属层（6）上方连接设置有漏极场板金属层（61），所述栅极P型氮化镓层（4）和漏极欧姆金属层（6）之间设置有空穴注入结构（7），所述空穴注入结构（7）包括自下而上设置于所述势垒层（3）上的矩形P型氮化镓层（71）和第二栅极金属层（72），以及穿设于所述矩形P型氮化镓层（71）和所述第二栅极金属层（72）中部并连接所述氮化镓层（2）的欧姆金属柱（73），所述欧姆金属柱（73）顶部与所述漏极场板金属层（61）连接，所述势垒层（3）到所述源极场板金属层（51）、漏极场板金属层（61）之间的区域填充有介质层（8）。

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