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龙图腾网恭喜中科纳微真空科技(合肥)有限公司申请的专利一种磁棒组件、磁控溅射旋转阴极和磁控溅射镀膜设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119530741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510097043.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种磁棒组件、磁控溅射旋转阴极和磁控溅射镀膜设备是由郭江涛;游锦山设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁棒组件、磁控溅射旋转阴极和磁控溅射镀膜设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁棒组件、磁控溅射旋转阴极和磁控溅射镀膜设备，磁棒的磁体阵列包括位于中部的直线区域和位于所述直线区域两端的转向区域，所述转向区域包括至少一个偏移段，其包括位于图案外部分的第一偏移磁性区和位于图案内部分的第二偏移磁性区，所述第一偏移磁性区和所述第二偏移磁性区沿所述直线区域的宽度方向偏移形成磁性台阶。将转向区域的偏移段内的两个偏移磁性区沿宽度方向偏移设置，形成磁性台阶，在不影响磁棒整体宽度的前提下，增加转向区域的蚀刻深点数量，降低单点位置刻蚀速度，从而提高靶材的利用率，避免靶材端部局部刻蚀较快，延长靶材的使用寿命。

本发明授权一种磁棒组件、磁控溅射旋转阴极和磁控溅射镀膜设备在权利要求书中公布了：1.一种磁棒组件，其特征在于，包括：磁轭（1）和多个磁体，所述多个磁体在磁轭（1）上形成包括内部分和围绕所述内部分的外部分的图案，所述内部分具有第二磁性且所述外部分具有第一磁性；所述多个磁体包括位于中部的直线区域和位于所述直线区域两端的转向区域，所述直线区域包括两列或三列磁体，所述两列或三列磁体形成位于所述外部分的两个第一直线磁性部（201）和位于所述内部分的第二直线磁性部（202）；所述转向区域包括磁体阵列，所述磁体阵列形成位于所述外部分的第一转向磁性部（301）和位于所述内部分的第二转向磁性部（302）；所述转向区域包括至少一个偏移段，所述偏移段包括位于所述外部分的第一偏移磁性区（401）和位于所述内部分的第二偏移磁性区（402），所述第一偏移磁性区（401）具有第一磁性且所述第二偏移磁性区（402）具有第二磁性，所述第一偏移磁性区（401）和所述第二偏移磁性区（402）沿所述直线区域的宽度方向偏移形成磁性台阶；所述第一偏移磁性区（401）与第一直线磁性部（201）在宽度方向上偏移布置且所述第二偏移磁性区（402）与第二直线磁性部（202）在宽度方向上偏移布置；和或，所述转向区域包括沿所述直线区域延伸方向并排布置的多个偏移段，相邻两个所述偏移段的第一偏移磁性区（401）和第二偏移磁性区（402）沿宽度方向偏移形成磁性台阶，多个所述第一偏移磁性区（401）的宽度向远离所述直线区域的方向逐渐增大。

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