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龙图腾网恭喜深圳市优贝特科技有限公司申请的专利一种高频变压器分布电容计算及共模噪声优化方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119538606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510101756.3，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种高频变压器分布电容计算及共模噪声优化方法及装置是由李杰;张亮;蔡学峰;吴军科设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高频变压器分布电容计算及共模噪声优化方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高频变压器分布电容计算及共模噪声优化方法及装置，主要是改变一次侧绕组的层数。一次侧绕组层数改变以后，一次侧绕组的高度、一次侧和二次侧绕组之间的电位差会改变。通过统一变量的方法，推导出构建高频变压器一次侧和二次侧之间分布电容关于一次侧绕组层数的表达式，进而获得抑制高频变压器共模噪声的策略。通过改变一次侧绕组层数，在不增加其他反相绕组和屏蔽层的基础上，可以减小一次侧和二次侧之间分布电容，进而达到抑制高频变压器共模噪声的效果。解决了功率变换器系统中高频变压器传递共模噪声的危害，使得输入、输出线缆端接收的共模噪声信号大幅度减弱，显著削弱了功率变换器系统线缆共模噪声的电磁辐射干扰。

本发明授权一种高频变压器分布电容计算及共模噪声优化方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种高频变压器分布电容计算及共模噪声优化方法，所述方法包括：步骤1：获得一次侧和二次侧绕组之间电场强度；并将一次侧绕组和二次侧绕组之间能量等效为一次侧绕组和二次侧绕组之间分布电容储存的能量；由电场强度和侧绕组之间分布电容储存的能量计算得到多层绕组分布电容；步骤2：设定一次侧绕组正对二次侧绕组匝数p1与一次侧绕组总匝数P的比为x；得到一次侧绕组层数为，设定一次侧绕组层数为t，则一次侧绕组高度为，H为一次侧绕组分层前的高度；步骤3：由一次侧绕组正对二次侧绕组匝数p1与一次侧绕组总匝数的比值、一次侧绕组层数、一次侧绕组高度代入多层绕组分布电容中获得一次侧绕组层数关于一次侧和二次侧分布的电容表达；步骤4：根据二次侧和一次侧绕组匝数比计算一次侧绕组层数关于一次侧和二次侧分布的电容表达的单调性，并根据其单调性，得到相应的分层策略；当一次侧绕组层数不小于极值点时，一次侧绕组分层层数越多，分布电容越小，共模噪声越小；其中，由电场强度和侧绕组之间分布电容储存的能量计算得到多层绕组的分布电容的具体过程为：1）先求一次侧和二次侧绕组之间电场强度为： ；2）根据能量等效原则，将一次侧绕组和二次侧绕组之间能量等效为一次侧绕组和二次侧绕组之间分布电容储存的能量，公式为： ；3）联立得到一次侧和二次侧绕组之间分布电容： ； U为一次侧和二次侧之间电位差，d为一次侧和二次侧间距，p1为一次侧绕组正对二次侧绕组匝数，p为一次侧绕组总匝数，U1为一次侧绕组电压，U2为二次侧绕组电压，l为绕组平均匝长，h为所述一次侧绕组高度，a为二次侧和一次侧绕组匝数比。

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