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龙图腾网恭喜南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种四元黄绿光LED外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521867B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510088159.1，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权一种四元黄绿光LED外延片及其制备方法是由王苏杰;林晓珊;董耀尽;杨祺;宁如光设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种四元黄绿光LED外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种四元黄绿光LED外延片及其制备方法。该四元黄绿光LED外延片由下往上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、N型渐变掺杂波导层、单量子阱有源层、P型渐变掺杂波导层、P型自吸收层、P型过渡层、P型周期性电流扩展层。本发明通过NP型渐变掺杂波导层结合单量子阱有源层、P型自吸收层、P型GaPGaAsP周期性电流扩展层的设计，并采用MOCVD技术进行生长，得到的低亮度、高可靠性四元黄绿光LED外延片结构具有抗静电性能高、老化性能优异、表面平整度和均匀性好，且生产成本和原料成本低等特点，用于替代LPE技术生长的二、三元系LED，具有更好的可靠性和应用前景。

本发明授权一种四元黄绿光LED外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种四元黄绿光LED外延片，其特征在于，所述四元黄绿光LED外延片由下往上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、N型渐变掺杂波导层、单量子阱有源层、P型渐变掺杂波导层、P型自吸收层、P型过渡层、P型周期性电流扩展层；所述N型渐变掺杂波导层和P型渐变掺杂波导层的材料均为Alx1Ga1-x10.5In0.5P，且均为渐变式掺杂结构，其中x1的取值范围为0.7～0.8；所述单量子阱有源层的材料为Aly1Ga1-y10.5In0.5P，其中y1的取值范围为0.2～0.3；所述N型渐变掺杂波导层的厚度为200nm～400nm，N型掺杂剂为SiH4，其渐变式掺杂结构的渐变方式为：初始生长的掺杂浓度为5×1017cm-3～10×1017cm-3，并保持此掺杂浓度生长100nm，然后开始按照渐变降低的方式至此层生长结束，结尾掺杂浓度为0.25×1017cm-3～0.5×1017cm-3，且掺杂浓度渐变降低的速率为0.01×1017cm-3s～0.02×1017cm-3s；所述P型渐变掺杂波导层的厚度为200nm～400nm，P型掺杂剂为Cp2Mg，其渐变式掺杂结构的渐变方式为：初始生长的掺杂浓度为0.25×1017cm-3～0.5×1017cm-3，然后开始按照渐变升高的方式至此层生长结束，结尾掺杂浓度为5×1017cm-3～10×1017cm-3，且掺杂浓度渐变升高的速率为0.01×1017cm-3s～0.02×1017cm-3s。

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