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龙图腾网恭喜灿芯半导体(上海)股份有限公司申请的专利一种低压域与超压域兼容的LDO电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119543649B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510090572.1，技术领域涉及：H02M3/158；该发明授权一种低压域与超压域兼容的LDO电路是由倪灿灿;岳庆华;庄志青设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低压域与超压域兼容的LDO电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低压域与超压域兼容的LDO电路，属于LDO电路技术领域，该LDO电路包括PMOS管P1~P14、NMOS管N1~N17、输入IB1和输出VOUT；其中，PMOS管P1~P4构成电流镜，NMOS管N5~N9为二极管连接的第一分压结构，NMOS管N16~N17为二极管连接的第二分压结构；NMOS管N14~N15和PMOS管P13在超压下分压，确保从电源AVDD到地GND没有MOS管有超压电压；同时NMOS管N14~N15和PMOS管P13在低压下不分压，不影响LDO电路的正常工作。本发明，用低压器件实现超压与低电压同时兼容的LDO结构，既能用低压器件实现超压的需求，又要满足低压下性能不衰减的要求。

本发明授权一种低压域与超压域兼容的LDO电路在权利要求书中公布了：1.一种低压域与超压域兼容的LDO电路，其特征在于，该LDO电路包括PMOS管P1~P14、NMOS管N1~N17、输入IB1和输出VOUT；其中，输入IB1接NMOS管N3漏极、栅极，以及NMOS管N4，N12，N13的栅极；NMOS管N1的漏极，栅极和NMOS管N3的源极，NMOS管N2，N10，N11的栅极电连接；NMOS管N1，N2源极接GND；NMOS管N4源极和NMOS管N2漏极连接；NMOS管N4漏极和PMOS管P3漏极，栅极以及PMOS管P4，P6栅极连接；PMOS管P3源极与PMOS管P1漏极，栅极以及PMOS管P2，P5，P11栅极连接；PMOS管P2漏极与PMOS管P4源极连接；PMOS管P1，P2源极接AVDD；PMOS管P4漏极与NMOS管N9漏极，栅极以及NMOS管N14，N15的栅极连接；NMOS管N9源极与NMOS管N8栅极，漏极连接；NMOS管N8源极与NMOS管N7栅极，漏极连接；NMOS管N7源极与NMOS管N6栅极，漏极连接；NMOS管N6源极与NMOS管N5栅极，漏极连接；NMOS管N5源极接GND；PMOS管P5源极接AVDD，漏极与PMOS管P6源极接一起；PMOS管P6漏极与PMOS管P7，P8源极接一起；PMOS管P7栅极接基准电压VREF，PMOS管P8栅极接反馈电压VFB，且电容C1，电阻R1，R2一端也接反馈电压VFB；PMOS管P7漏极接NMOS管N13源极和NMOS管N11漏极；PMOS管P8漏极接N12源极和NMOS管N10漏极；NMOS管N10，N11源极接GND；NMOS管N14源极和衬底，NMOS管N12漏极接一起；NMOS管N14漏极和深N阱接PMOS管P9栅极，漏极以及PMOS管P10栅极电相连；NMOS管N14和N15的P型衬底接GND；NMOS管N15衬底，源极接NMOS管N13漏极，PMOS管P13栅极；NMOS管N15漏极，深N阱接PMOS管P10漏极，PMOS管P12栅极；PMOS管P9~P14源极接AVDD；PMOS管P11漏极与PMOS管P12源极，PMOS管P14栅极接一起；PMOS管P12漏极与PMOS管P13源极接一起；PMOS管P13漏极与NMOS管N17栅极，漏极接一起；NMOS管N17源极与NMOS管N16栅极，漏极接一起；NMOS管N16源极接GND；NMOS管P14漏极与电容C1，C2，电阻R1一端接输出VOUT；电阻R2和电容C2另一端接GND；同时，PMOS管P1~P4构成电流镜，NMOS管N5~N9为二极管连接的第一分压结构，NMOS管N16~N17为二极管连接的第二分压结构；NMOS管N14~N15和PMOS管P13在超压下分压，确保从电源AVDD到地GND没有MOS管有超压电压；同时NMOS管N14~N15和PMOS管P13在低压下不分压，不影响LDO电路的正常工作；在超压状态下，NMOS管N14，N15和PMOS管P13工作在饱和区，以用于分压；而在低压状态下，NMOS管N5~N9给NMOS管N14，N15提供的偏置电压为电源电压大小，此时NMOS管N14和N15工作在线性电阻区，形成开关管，源极和漏极不消耗电压；同时PMOS管P12与P13形成串联管，保证了电路在较低电压下MOS管的正常工作状态。

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