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龙图腾网恭喜深圳市亚尔讯科技有限公司申请的专利一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486158B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510065479.5，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法是由罗正军设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法，该方法包括获取待设计肖特基二极管的功率参数和结构面积，根据功率参数确定待设计肖特基二极管的势垒金属；根据结构面积采用增加势垒面积规则对待设计肖特基二极管的结构进行设计，得到结构图；根据结构图和势垒金属采用肖特基二极管产品芯片生产工艺进行制造，得到低正向压降的肖特基二极管。该方法通过势垒金属选择设计保证了肖特基二极管这个产品最优的正向压降VF特性和反向漏电流IR特性及产品的可靠性；采用增加势垒面积规则在制造肖特基二极管过程中保证了肖特基二极管芯片面积不变的情况，增大肖特基二极管势垒区的面积，降低正向压降，解决现有肖特基二极管的正向压降大的问题。

本发明授权一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低正向压降的肖特基二极管制造方法，其特征在于，包括以下步骤：获取待设计肖特基二极管的功率参数和结构面积，根据所述功率参数确定所述待设计肖特基二极管的势垒金属；所述待设计肖特基二极管的结构包括势垒区、引线孔和金属层；根据所述结构面积采用增加势垒面积规则对所述待设计肖特基二极管的结构进行设计，得到所述待设计肖特基二极管的结构图；根据所述结构图和所述势垒金属采用肖特基二极管产品芯片生产工艺进行制造，得到低正向压降的肖特基二极管；所述势垒区上设置有内环线，所述金属层的外环线与所述引线孔之间的区域记为外环区，所述内环线与所述引线孔之间的区域记为内环区，所述内环线与所述金属层的外环线之间的区域记为基区环；所述增加势垒面积规则包括：不改变所述结构面积，增加所述基区环的宽度和减少所述外环区的宽度，以增加所述势垒区的面积；根据所述功率参数确定所述待设计肖特基二极管的势垒金属包括：若所述功率参数不大于功率阈值，所述待设计肖特基二极管的势垒金属为NiPt5；若所述功率参数大于功率阈值，所述待设计肖特基二极管的势垒金属为NiPt1。

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