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龙图腾网恭喜长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486228B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510066328.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由罗成志;伍术设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，其中，该器件包括：半导体本体；半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，半导体本体还包括阱区和第一区域；栅极结构，栅极结构从第一表面延伸至半导体本体中；栅极结构包括第一绝缘层和栅极；第二绝缘层，第二绝缘层在第一表面的垂直投影和栅极在第一表面的垂直投影重合；第三绝缘层，位于栅极两侧的第一绝缘层在第一表面的垂直投影在第三绝缘层在第一表面的垂直投影之内；位于第一表面的源极；位于第二表面的漏极。本发明的技术方案解决了栅极‑源极漏电流失效的问题，提高了MOSFET半导体器件的可靠性。

本发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体本体；所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述半导体本体还包括阱区和第一区域，所述第一区域设置于所述第一表面，所述阱区设置于所述第一区域远离所述第一表面的一侧；位于所述第一表面的栅极结构，所述栅极结构从所述第一表面延伸至所述半导体本体中；所述栅极结构包括第一绝缘层和栅极，所述第一绝缘层用于绝缘所述半导体本体和所述栅极；位于所述栅极结构远离所述半导体本体一侧的第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述第一表面的垂直投影和所述栅极在所述第一表面的垂直投影重合；位于所述第二绝缘层的侧壁的第三绝缘层，位于栅极两侧的所述第一绝缘层在所述第一表面的垂直投影在所述第三绝缘层在所述第一表面的垂直投影之内；位于所述第一表面的源极；位于所述第二表面的漏极；位于所述第一表面且位于所述第三绝缘层远离所述第二绝缘层一侧的接触孔，所述接触孔内用于形成所述源极；所述接触孔的形成无需刻蚀所述第二绝缘层。

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