恭喜南京大学;合肥国家实验室周玉刚获国家专利权
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龙图腾网恭喜南京大学;合肥国家实验室申请的专利一种半导体场效应晶体管液体传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119470598B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510058540.3，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权一种半导体场效应晶体管液体传感器及其制造方法是由周玉刚;王浩宇;郭焱;陆海;陈敦军;张荣设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体场效应晶体管液体传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体场效应晶体管液体传感器及其制造方法，包括：基板、半导体场效应晶体管和微流道结构。微流道结构包括基片、参比电极和盖片。基片包括沟槽，沟槽用于放置参比电解液，参比电极至少覆盖沟槽的侧壁。盖片设置于基片远离基板的一侧表面，盖片覆盖沟槽，盖片用于进行参比电解液和待测溶液之间的离子交换，从而实现液体传感器进行检测的功能。由此可见，本申请通过利用包括沟槽的基片，覆盖沟槽侧壁的参比电极以及密封参比电解液的盖片形成集成度较高的微流道结构，微流道结构和半导体场效应晶体管集成在同一个基板上，进一步提高集成度，从而最终实现半导体场效应晶体管液体传感器的微型化，从而满足多种场景的检测需求。
本发明授权一种半导体场效应晶体管液体传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体场效应晶体管液体传感器，其特征在于，所述半导体场效应晶体管液体传感器包括：基板、半导体场效应晶体管和微流道结构；所述半导体场效应晶体管和所述微流道结构设置于所述基板的一侧表面，集成度高的微流道结构和半导体场效应晶体管共同设置在同一个基板上，所述基板是柔性材料；所述微流道结构包括基片、参比电极和盖片；所述基片包括沟槽，所述参比电极至少覆盖所述沟槽的侧壁，所述沟槽用于放置参比电解液；所述盖片设置于所述基片远离所述基板的一侧表面，所述盖片覆盖所述沟槽，所述盖片用于进行所述参比电解液和待测溶液之间的离子交换；所述参比电极还覆盖所述基片远离所述基板的一侧表面，所述盖片至少暴露部分面积的参比电极。
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