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龙图腾网恭喜悦芯科技股份有限公司申请的专利一种存储芯片中稀疏失效单元的修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119446241B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510021916.3，技术领域涉及：G11C29/44；该发明授权一种存储芯片中稀疏失效单元的修复方法是由潘志富;花磊;郭琦;薛如军;张悦;杨爱民设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储芯片中稀疏失效单元的修复方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片测试技术领域，具体公开了一种存储芯片中稀疏失效单元的修复方法，包括：步骤1：芯片测试机运行测试程序，获取存储芯片整体的失效单元电路信息；首先分配预设区域的失效单元电路的修复方案，并将剩余的稀疏失效单元电路存储到哈希表数据结构中；步骤2：获取步骤1中得到所有存储芯片的失效单元电路信息，构建失效单元集合的邻接矩阵；步骤3：根据步骤2得到的邻接矩阵，对失效单元电路分配修复方案；步骤4：重复步骤2‑步骤3，直至集合中所有数据被清空，获得整个存储芯片的修复方案。本发明可以使得备用电路的使用量能够得到有效减少，提高产品良率。

本发明授权一种存储芯片中稀疏失效单元的修复方法在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片中稀疏失效单元的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：芯片测试机运行测试程序，获取存储芯片整体的失效单元电路信息；首先分配特定区域的失效单元电路的修复方案，并将剩余的稀疏失效单元电路存储到哈希表数据结构中，记为，n表示稀疏失效单元电路数量，di表示第i个稀疏失效单元电路且i≤n，分别表示稀疏失效单元电路的区块编号、数据位编号、X地址和Y地址；步骤2：获取步骤1中得到所有存储芯片的失效单元电路信息，记每个存储芯片不同数据位下的不同区块的稀疏失效单元电路集合为，其中，构建失效单元集合的邻接矩阵；步骤3：根据步骤2得到的邻接矩阵，对失效单元电路分配修复方案；步骤4：重复步骤2-步骤3，直至集合中所有数据被清空，获得整个存储芯片的修复方案；在所述的步骤2中，构建失效单元集合的邻接矩阵的具体方法如下所示：获取每个区块的X轴方向的最大单元数max_x，Y轴方向的最大单元数max_y，创建一个max_x*max_y的二维矩阵M，初始化所有值为0；遍历数据位下所有的失效单元的信息，更新二维矩阵M；根据二维矩阵M创建一维矩阵和,分别记录二维矩阵M的X轴方向的不同坐标下失效单元的数量和Y轴方向的不同坐标下失效单元的数量；在所述的步骤3中，对失效单元电路分配修复方案的具体方法如下所示：行和列备用电路未使用完时，分别获得一维矩阵VX和VY中的最大值，并记录最大值对应X轴坐标值x和对应的失效单元数量vx，Y轴坐标值y和对应的失效单元数量vy，并计算这两个坐标对应的修复实际有效率γx、γy；其计算公式为： ；其中，HX表示一组行备用电路能修复失效单元的个数，HY表示一组列备用电路能修复失效单元的个数；若γx≥γy，则分配该X轴坐标值x作为修复方案，反之，则分配该Y轴坐标值y作为修复方案；从稀疏失效单元电路集合中删除分配修复方案所在的失效单元，更新中值；更新二维矩阵M，设置修复方案所在的坐标位置为0；更新VX和VY的值，若修复方案为X轴上的坐标值，则将VX中对应坐标的值设为0，VY中非零的值都减1，若修复方案为Y轴上的坐标值，则将VY中对应坐标的值设为0，VX中非零的值都减1。

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