南昌凯捷半导体科技有限公司宁如光获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌凯捷半导体科技有限公司申请的专利一种三结太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510000122.9，技术领域涉及：H10F10/142；该发明授权一种三结太阳电池及其制备方法是由宁如光;佟嘉欣;王宝荣;李浩;王苏杰;杨祺;林晓珊设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三结太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种三结太阳电池及其制备方法，该三结太阳电池自下而上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底隧穿结、DBR、中电池、中顶隧穿结、顶电池、欧姆接触层；中电池包括基区、发射区和窗口层，基区和发射区的材料均为Inx1GaAsP，其中0.03≤x1≤0.10。本发明通过在中电池的基区和发射区的材料InGaAs中引入P，有效改善中电池的抗辐照能力，同时通过提高In组分来补偿引入P导致的晶格失配，进一步改善三结太阳电池的抗辐照能力；通过调整中电池材料中In和P的比例来调节外延材料的应变、优化生长过程中锗衬底的翘曲，改善外延材料的晶体质量，提升电池芯片的光电转换效率。
本发明授权一种三结太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三结太阳电池，其特征在于，所述三结太阳电池自下而上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底隧穿结、DBR、中电池、中顶隧穿结、顶电池、欧姆接触层；所述中电池包括基区、发射区和窗口层，所述基区和发射区的材料均为Inx1GaAsP，其中0.03≤x1≤0.10；所述基区和发射区的总厚度为1.5μm～2.5μm，且为两种不同生长条件交替生长的InGaAsP材料；两种不同生长方式为：先以400sccm流量通入AsH3、以200sccm流量通入PH3生长厚度为150nm的InGaAsP，然后以300sccm流量通入AsH3、以500sccm流量通入PH3生长厚度为100nm的InGaAsP。
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