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龙图腾网恭喜深圳市金鼎胜光电股份有限公司申请的专利LED光源能量密度分布测量方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119374718B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411943653.3，技术领域涉及：G01J1/42；该发明授权LED光源能量密度分布测量方法、装置、设备及存储介质是由陈新民;王洁;唐建明;张桂英;周正恩设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED光源能量密度分布测量方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED光源能量密度分布测量方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：对LED光源的发光面进行正面图像采集和预处理，得到发光特征数据。根据这些数据，布置CMOS图像传感器阵列，并通过该阵列对LED光源进行球面扫描测量，得到空间光场数据。利用预训练的深度学习光场重建模型，对光场数据进行发光面积效应补偿，得到修正后的空间光场分布数据。最后，根据修正后的数据进行能量密度插值计算，生成三维能量密度分布图。该方法通过结合图像传感器阵列、深度学习重建技术以及三维空间测量模型，实现对LED光源能量密度分布的精准测量，克服现有方法中的局限，提高测量精度，并能够全面反映LED光源的三维能量密度分布。

本发明授权LED光源能量密度分布测量方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种LED光源能量密度分布测量方法，其特征在于，所述LED光源能量密度分布测量包括：对LED光源的发光面进行正面图像采集和预处理，得到所述LED光源的发光特征数据；根据所述发光特征数据布置所述LED光源的CMOS图像传感器阵列，并根据所述CMOS图像传感器阵列对所述LED光源进行球面扫描测量，得到空间光场数据；所述根据所述发光特征数据布置所述LED光源的CMOS图像传感器阵列包括：根据所述LED光源的发光特征数据计算所述LED光源的发光强度分布范围，得到CMOS图像传感器阵列的布置参数；根据所述布置参数对CMOS图像传感器进行空间排布，在距离所述LED光源的发光面的近场区域布置第一CMOS图像传感器阵列，在距离所述LED光源的发光面的远场区域布置第二CMOS图像传感器阵列；对所述第一CMOS图像传感器阵列和所述第二CMOS图像传感器阵列的像素灵敏度进行标定，得到传感器响应校准数据；根据所述发光特征数据和所述传感器响应校准数据计算所述第一CMOS图像传感器阵列和所述第二CMOS图像传感器阵列的采样角度和采样间距，得到球面扫描测量参数，实现所述LED光源的CMOS图像传感器阵列的布置；根据所述发光特征数据和所述空间光场数据调用预训练的深度学习光场重建模型，对光场数据进行发光面积效应补偿，得到修正后的空间光场分布数据；所述根据所述发光特征数据和所述空间光场数据调用预训练的深度学习光场重建模型，对光场数据进行发光面积效应补偿，得到修正后的空间光场分布数据包括：根据所述发光特征数据中所述发光面的微区域分布数据对所述空间光场数据进行空间划分，得到对应各微区域的光场子数据；根据所述发光特征数据中所述发光面的几何尺寸和边界轮廓数据对所述光场子数据进行空间坐标映射，得到微区域光场映射数据；将所述微区域光场映射数据和所述发光面的亮度分布数据输入预训练的深度学习光场重建模型，得到发光面积效应的补偿系数；根据所述补偿系数对所述空间光场数据进行修正计算，得到修正后的空间光场分布数据；根据所述空间光场分布数据，对所述LED光源进行能量密度插值计算，并根据计算结果生成所述LED光源的三维能量密度分布图。

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