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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种高光效LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411943828.0，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种高光效LED外延结构及其制备方法是由舒俊;高虹;郑文杰;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高光效LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高光效LED外延结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。高光效LED外延结构中多量子阱发光层包括依次层叠的高阻多量子阱层、中阻多量子阱层和低阻多量子阱层；其中，高阻多量子阱层包括周期性交替层叠的第一多量子阱InGaN层和第一变阻值调控垒层，中阻多量子阱层包括周期性交替层叠的第二多量子阱InGaN层和第二变阻值调控垒层，低阻多量子阱层包括周期性交替层叠的第三多量子阱InGaN层和第三变阻值调控垒层。采用本发明的高光效LED外延结构能够提高P型半导体材料的空穴注入效率，提高多量子阱发光层中电子和空穴的匹配度，以提高多量子阱层中的辐射复合效率，进而提高LED器件的亮度和光效。

本发明授权一种高光效LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高光效LED外延结构，其特征在于，包括衬底，以及在所述衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层；所述多量子阱发光层包括依次层叠的高阻多量子阱层、中阻多量子阱层和低阻多量子阱层；所述高阻多量子阱层包括依次周期性交替层叠的第一多量子阱InGaN层和第一变阻值调控垒层；所述第一变阻值调控垒层包括依次层叠的第一Si掺GaN层、第一AlGaN层、第二Si掺GaN层、第二AlGaN层和第三Si掺GaN层；所述中阻多量子阱层包括依次周期性交替层叠的第二多量子阱InGaN层和第二变阻值调控垒层；所述第二变阻值调控垒层包括依次层叠的第四Si掺GaN层、第三AlGaN层、非掺杂GaN层、第四AlGaN层和第五Si掺GaN层；所述低阻多量子阱层包括依次周期性交替层叠的第三多量子阱InGaN层和第三变阻值调控垒层；所述第三变阻值调控垒层包括依次层叠的第六Si掺GaN层、第五AlGaN层、第七Si掺GaN层、第六AlGaN层和第八Si掺GaN层；所述第一AlGaN层中Al组分的占比＞所述第二AlGaN层中Al组分的占比≥所述第三AlGaN层中Al组分的占比＞所述第四AlGaN层中Al组分的占比≥所述第五AlGaN层中Al组分的占比＞所述第六AlGaN层中Al组分的占比；所述第一AlGaN层中Al组分的占比为0.09~0.39，所述第二AlGaN层中Al组分的占比为0.07~0.25；所述第三AlGaN层中Al组分的占比为0.07~0.25，所述第四AlGaN层中Al组分的占比为0.05~0.17；所述第五AlGaN层中Al组分的占比为0.05~0.17，所述第六AlGaN层中Al组分的占比为0.01~0.10。

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