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龙图腾网恭喜深圳市芯电元科技有限公司申请的专利高性能碳化硅MOSFET开关特性优化方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119293462B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411824091.0，技术领域涉及：G06F18/20；该发明授权高性能碳化硅MOSFET开关特性优化方法及装置是由杨彦峰;黄凤明设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本高性能碳化硅MOSFET开关特性优化方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及MOSFET性能优化的技术领域，公开了一种高性能碳化硅MOSFET开关特性优化方法及装置，本发明对MOSFET开关进行工作参数的数据采集，获取工作监测数据，对电压驱动单元和电阻调整单元进行参数数据采集，获取电压驱动数据和电阻调整数据，根据采集的数据进行开关工作状态的分析，得到工作状态特征，基于工作状态特征进行梯度分析，制定若干优化测试方案，依次执行各个梯度的优化测试方案，获取优化测试特征，并根据测试特征决定是否执行下一梯度的优化方案，通过此方法，可以系统且精确地优化碳化硅MOSFET的开关特性。实时数据分析和梯度优化步骤提高了优化效率，减少了试错成本，并增强了MOSFET的性能稳定性和可靠性。

本发明授权高性能碳化硅MOSFET开关特性优化方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种高性能碳化硅MOSFET开关特性优化方法，其特征在于，包括：对MOSFET开关进行开关工作参数的数据采集，得到所述MOSFET开关的工作监测数据；对与所述MOSFET开关进行电路连接的电压驱动单元与电阻调整单元进行单元工作参数的数据采集，得到所述电压驱动单元的电压驱动数据与所述电阻调整单元的电阻调整数据；根据所述工作监测数据、所述电压驱动数据以及所述电阻调整数据对所述MOSFET开关进行开关工作状态的分析处理，得到所述MOSFET开关的工作状态特征；根据所述工作状态特征对所述MOSFET开关进行驱动优化方案的梯度分析处理，得到所述MOSFET开关的若干执行梯度的优化测试方案；根据各个执行梯度的优化测试方案依次对所述电压驱动单元与所述电阻调整单元进行优化测试处理，在进行各个执行梯度的优化测试处理时，获取优化测试处理的优化测试特征，并根据所述优化测试特征决定是否执行下一梯度的优化测试方案，以对所述MOSFET开关进行开关特性的优化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市芯电元科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1901、1902；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。