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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十六研究所申请的专利一种生长氧化镓晶体的生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119221093B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411774303.9，技术领域涉及：C30B15/10；该发明授权一种生长氧化镓晶体的生长装置是由周金杰;霍晓青;王英民;张胜男;程红娟;张嵩;董增印;李贺设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种生长氧化镓晶体的生长装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种生长氧化镓晶体的生长装置，涉及半导体制备技术领域。该生长装置包括：加热器和用于放置氧化镓晶体的坩埚；加热器和坩埚均为桶型结构，且坩埚放置于加热器内；加热器的侧壁的斜率小于坩埚的侧壁的斜率，且加热器的上端面的半径大于坩埚的下端面的半径；其中，加热器的侧壁的斜率为加热器的上端面的直径减去下端面的直径得到的差值与加热器的高度的比值，坩埚的侧壁的斜率为坩埚的上端面的直径减去下端面的直径得到的差值与坩埚的高度的比值。本申请能够明显减小温场的轴向温梯，有效解决氧化镓晶体开裂问题，从而提高氧化镓晶体生长的质量和效率。

本发明授权一种生长氧化镓晶体的生长装置在权利要求书中公布了：1.一种生长氧化镓晶体的生长装置，其特征在于，所述生长装置包括加热器和用于放置氧化镓晶体的坩埚；所述加热器和所述坩埚均为桶型结构，且所述坩埚放置于所述加热器内；所述加热器的侧壁的斜率小于所述坩埚的侧壁的斜率，且所述加热器的上端面的半径大于所述坩埚的下端面的半径，所述加热器的纵剖面呈上小下大的梯形，所述加热器从上到下的多个横截面的半径呈线性增大，所述加热器的下端面直径与上端面直径的比值范围为1.1-4；所述坩埚的纵剖面呈上小下大的梯形，所述坩埚从上到下的多个横截面的半径呈线性增大，所述坩埚的下端面直径与上端面直径的比值范围为1.1-3；其中，所述加热器的侧壁的斜率为所述加热器的上端面的直径减去下端面的直径得到的差值与所述加热器的高度的比值，所述坩埚的侧壁的斜率为所述坩埚的上端面的直径减去下端面的直径得到的差值与所述坩埚的高度的比值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第四十六研究所，其通讯地址为：300220 天津市河西区洞庭路26号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。