恭喜中国电子科技集团公司第四十六研究所董增印获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十六研究所申请的专利一种n型氧化镓单晶衬底的同质外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230388B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411774671.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种n型氧化镓单晶衬底的同质外延片及其制备方法是由董增印;王英民;张嵩;张力江;程红娟;李贺;王双设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种n型氧化镓单晶衬底的同质外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种n型氧化镓单晶衬底的同质外延片及其制备方法，属于氧化镓外延技术领域。该方法包括在n型氧化镓单晶衬底的背面生长介质层、以覆盖衬底的整个背面，得到生长介质层后衬底；在介质层的保护下，对生长介质层后衬底进行正面抛光，得到正面抛光后衬底；在介质层的保护下，对正面抛光后衬底的正面进行氧化镓同质外延，得到同质外延后衬底；去除同质外延后衬底背面的介质层，得到去除背面介质层的衬底；对去除背面介质层的衬底进行正面抛光，得到n型氧化镓单晶衬底的同质外延片。本发明能够解决氧化镓同质外延后衬底电阻率增大的问题。
本发明授权一种n型氧化镓单晶衬底的同质外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种n型氧化镓单晶衬底的同质外延片制备方法，其特征在于，包括：在所述n型氧化镓单晶衬底的背面生长介质层、以覆盖衬底的整个背面，得到生长介质层后衬底；在所述介质层的保护下，对所述生长介质层后衬底进行正面抛光，得到正面抛光后衬底；在所述介质层的保护下，对所述正面抛光后衬底的正面进行氧化镓同质外延，得到同质外延后衬底；其中，在氧化镓同质外延时，通入氧气为氧化镓生长提供氧元素；去除所述同质外延后衬底背面的介质层，得到去除背面介质层的衬底；对所述去除背面介质层的衬底进行正面抛光，得到n型氧化镓单晶衬底的同质外延片。
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