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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230677B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411746771.5，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片是由胡加辉;郑文杰;高虹;刘春杨;金从龙设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及光电技术领域，公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片，发光二极管外延片包括衬底，衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、组合层、P型GaN层；组合层包括依次层叠的电子消耗层和波段层，电子消耗层包括交替层叠的Mg掺杂AlGaN层和BN层，波段层包括依次层叠的中波层、短波层和长波层，中波层包括交替层叠的Ga面极化GaN量子垒层和第一InGaN量子阱层，短波层包括交替层叠的N面极化GaN量子垒层和第二InGaN量子阱层，长波层包括交替层叠的Ga面极化AlGaN量子垒层和第三InGaN量子阱层。本发明提供的发光二极管外延片能够减少电子溢流和弱化多量子阱层中的QCSE。

本发明授权发光二极管外延片及其制备方法、LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、组合层、P型GaN层；所述组合层包括依次层叠的电子消耗层和波段层，所述电子消耗层包括交替层叠的Mg掺杂AlGaN层和BN层，所述波段层包括依次层叠的中波层、短波层和长波层，所述中波层包括交替层叠的Ga面极化GaN量子垒层和第一InGaN量子阱层，所述短波层包括交替层叠的N面极化GaN量子垒层和第二InGaN量子阱层，所述长波层包括交替层叠的Ga面极化AlGaN量子垒层和第三InGaN量子阱层，所述长波层的In组分含量大于所述中波层的In组分含量，所述中波层的In组分含量大于所述短波层的In组分含量。

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