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龙图腾网恭喜贵州大学申请的专利一种花状碳基Mn掺杂NiCoP薄膜电极材料的制备方法、产品及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119218976B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411363809.0，技术领域涉及：C01B32/05；该发明授权一种花状碳基Mn掺杂NiCoP薄膜电极材料的制备方法、产品及应用是由金会心;刘振涛;王壹设计研发完成，并于2024-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种花状碳基Mn掺杂NiCoP薄膜电极材料的制备方法、产品及应用在说明书摘要公布了：本发明提出了一种花状碳基Mn掺杂NiCoP薄膜电极材料的制备方法、产品及应用，属于电化学技术领域。本发明的花状碳基Mn掺杂NiCoP薄膜电极材料采用水热沉积法在生长基底上沉积制备三维核桃壳衍生多孔碳基Mn掺杂NiCo前驱体，之后将所述三维核桃壳衍生多孔碳基Mn掺杂NiCo前驱体采用气固反应法磷化制备得到，制备过程中引入WSC‑NO和Mn元素，增强了电化学活性和电子导电性，从而实现了电子的快速传输，提高了电极材料的电化学性能，并将其进一步用于高性能超级电容器及水系锌离子电池的制备中，显示出优异的能量密度。本发明电极材料的提出为设计和制造高性能储能装置提供了新的方法。

本发明授权一种花状碳基Mn掺杂NiCoP薄膜电极材料的制备方法、产品及应用在权利要求书中公布了：1.一种花状碳基Mn掺杂NiCoP薄膜电极材料的制备方法，其特征在于，采用水热沉积法在生长基底上沉积制备三维核桃壳衍生多孔碳基Mn掺杂NiCo前驱体，之后将所述三维核桃壳衍生多孔碳基Mn掺杂NiCo前驱体采用气固反应法磷化，得到所述花状碳基Mn掺杂NiCoP薄膜电极材料；具体包括以下步骤：将锰源、钴源和镍源溶于水中，并加入三维核桃壳衍生多孔碳、氟化铵和尿素，搅拌至完全溶解得到混合溶液，将所述混合溶液和生长基底转移到高压釜中高温处理得到碳基Mn掺杂NiCo前驱体；将载有碳基Mn掺杂NiCo前驱体的生长基底与磷源置于管式炉中，通入氮气后煅烧，磷源位于氮气的上游，煅烧结束后得到所述花状碳基Mn掺杂NiCoP薄膜电极材料；所述锰源、钴源、镍源和三维核桃壳衍生多孔碳的质量比为3∶3∶3∶1，所述三维核桃壳衍生多孔碳、氟化铵和尿素的质量比10mg∶0.32g∶1.1g；所述碳基Mn掺杂NiCo前驱体与磷源的质量比为1∶3。

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