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龙图腾网获悉江苏超芯星半导体有限公司申请的专利一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118756328B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411138256.9，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法是由请求不公布姓名;袁振洲;刘欣宇设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法，属于碳化硅晶体生长领域。所述生长坩埚包括下坩埚、上坩埚、坩埚盖和石墨环；所述下坩埚套设在所述上坩埚的内围，用于放置碳化硅原料；所述下坩埚和上坩埚之间留有间隔，用于所述上坩埚的轴向滑动；所述上坩埚的上开口处装配有籽晶托，用于固定籽晶；所述坩埚盖的上表面中心设有凹槽，用于嵌入中空旋杆；所述坩埚盖的上表面沿远离所述凹槽的径向方向设置有环形通孔；所述坩埚盖为倒U型结构或圆板结构。本发明提供的生长坩埚可保持晶体生长界面的稳定性以及碳化硅原料升华至晶体的气流均匀性，配合加热装置可有效增加原料的利用率，增加晶体厚度，提高晶体质量，节约生产成本。

本发明授权一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体的生长坩埚，其特征在于，所述生长坩埚包括下坩埚、上坩埚、坩埚盖和石墨环；所述下坩埚套设在所述上坩埚的内围，用于放置碳化硅原料；所述下坩埚和上坩埚之间留有间隔，用于所述上坩埚的轴向滑动；所述上坩埚的上开口处装配有籽晶托，用于固定籽晶；所述坩埚盖的上表面中心设有凹槽，用于嵌入中空旋杆；所述坩埚盖的上表面沿远离所述凹槽的径向方向设置有环形通孔；所述环形通孔的圆心分布在所述坩埚盖径向方向的13-15处；所述环形通孔的直径为所述坩埚盖上表面直径的15-17；所述坩埚盖为倒U型结构或圆板结构；当所述坩埚盖为倒U型结构时，所述上坩埚的上部套设在所述坩埚盖的下部内侧，且所述上坩埚与所述坩埚盖螺纹连接；所述坩埚盖的下部外壁和所述石墨环螺纹连接；所述石墨环的外径尺寸沿远离坩埚盖的轴向方向逐渐增加；所述下坩埚同轴放置于底座上，且所述底座连接位移装置，用于所述上坩埚的位移需求；所述石墨环的最大外径尺寸和最小外径尺寸的差值为5-30mm，所述石墨环的厚度为5-15mm；当所述坩埚盖为圆板结构时，所述坩埚盖的周向外围设置有多个间隔分布的支撑耳，所述石墨环的上部内侧水平周向上开设有多个支撑槽，用于装配所述支撑耳，所述石墨环的下部内壁与所述上坩埚的上部外壁螺纹连接；所述下坩埚同轴放置于底座上，且所述底座连接转动装置，用于上坩埚、石墨环和下坩埚的同步转动。

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