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龙图腾网恭喜上海先楫半导体科技有限公司申请的专利融合存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119002812B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411051013.1，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权融合存储系统是由杨帆;钱江浩;赵建斌设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本融合存储系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种融合存储系统，其中所述总线重映射模块用于根据预设需求，通过地址映射机制为片上SRAM存储器和或外挂RAM存储器配置特定的融合闪存空间，并对配置的融合闪存空间执行开启操作后，利用配置的融合闪存空间对FLASH芯片执行读取数据操作、写入数据操作或者读时写数据操作；所述总线重映射模块还可用于对配置的融合闪存空间执行禁用操作。扩展了系统的有效内存容量，显著降低制造成本，使得在大规模数据存储需求下更加经济可行，从而在保持高速访问能力的同时，能够缓存更多的数据量，提高了整体系统的性能和响应速度。

本发明授权融合存储系统在权利要求书中公布了：1.一种融合存储系统，其特征在于，包括：总线重映射模块、片上SRAM存储器以及外挂RAM存储器；总线重映射模块通信连接片上SRAM存储器、外挂RAM存储器；所述总线重映射模块外接有FLASH芯片；所述总线重映射模块，用于根据预设需求，通过地址映射机制为片上SRAM存储器和或外挂RAM存储器配置特定的融合闪存空间，并对配置的融合闪存空间执行开启操作后，利用配置的融合闪存空间对FLASH芯片执行读取数据操作、写入数据操作或者读时写数据操作；所述总线重映射模块还可用于对配置的融合闪存空间执行禁用操作；对配置的融合闪存空间执行开启操作的方式包括：将配置的融合闪存空间中的地址区域映射到与所述FLASH芯片对应的地址区域内，并将与FLASH芯片对应的地址区域内的数据同步到配置的融合闪存空间中；其中，与所述融合闪存空间相映射的FLASH芯片对应的地址区域为快速访问融合闪存空间，所述快速访问融合闪存空间包括片上SRAM快速访问融合闪存空间和外挂RAM快速访问融合闪存空间；FLASH芯片中除快速访问融合闪存空间以外的地址区域为非融合闪存空间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海先楫半导体科技有限公司，其通讯地址为：200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼203室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。