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龙图腾网恭喜河南师范大学申请的专利双向光响应器件及使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411024483.9，技术领域涉及：H10F30/221；该发明授权双向光响应器件及使用方法是由夏从新;李洪志;蒋玉荣;宋孝辉;于雷鸣;张随财设计研发完成，并于2024-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本双向光响应器件及使用方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种双向光响应器件及使用方法，双向光响应器件包括：衬底、铁电材料层、介电材料层、双极性半导体材料层、第一电极及第二电极；铁电材料层与衬底相接触；介电材料层的第一部分与衬底相接触，介电材料层的第二部分覆盖在铁电材料层上；双极性半导体材料层的第一区域与第一部分相接触，双极性半导体材料层的第二区域与第二部分相接触；第一电极与第一区域接触，第二电极与第二区域接触；在上述器件中，利用缺陷捕获区域和铁电调制区域在双极性半导体材料层的相反调制机制，使该双向光响应器件仅通过被施加单次栅压脉冲即可实现对双极性半导体材料层的极性进行双向切换，因此可以简便且低成本的实现双向光响应。

本发明授权双向光响应器件及使用方法在权利要求书中公布了：1.一种双向光响应器件，其特征在于，包括：衬底、铁电材料层、介电材料层、双极性半导体材料层、第一电极及第二电极；所述双极性半导体材料层为同质结；所述衬底的材料为二氧化硅SiO2，所述铁电材料层的材料为硫化铜铟二磷六硫CuInP2S6，所述介电材料层的材料为六方氮化硼h-BN，所述双极性半导体材料层的材料为二硒化钨WSe2；所述铁电材料层与所述衬底相接触；所述介电材料层的第一部分与所述衬底相接触，所述介电材料层的第二部分覆盖在所述铁电材料层上；所述双极性半导体材料层的第一区域与所述第一部分相接触，所述双极性半导体材料层的第二区域与所述第二部分相接触；所述第一电极与所述第一区域接触，所述第二电极与所述第二区域接触；其中，所述第一区域与所述第一部分构成缺陷捕获区域，所述第二区域与所述铁电材料层构成铁电调制区域；在对所述双向光响应器件施加单次栅压脉冲的情况下，所述缺陷捕获区域用于基于所述栅压脉冲的脉冲方向，对所述第一区域产生第一极性掺杂；所述铁电调制区域用于基于所述脉冲方向，对所述第二区域产生第二极性掺杂；所述第一极性与所述第二极性相反；在所述脉冲方向为正向栅压脉冲的情况下，所述缺陷捕获区域，进一步用于：对所述第一区域产生第一极性掺杂，所述第一极性为P型；所述铁电调制区域，进一步用于：对所述第二区域产生第二极性掺杂，所述第二极性为N型；所述双极性半导体材料层的所述第一区域为P型区域，所述第二区域为N型区域；在所述脉冲方向为负向栅压脉冲的情况下，所述缺陷捕获区域，进一步用于：对所述第一区域产生第一极性掺杂，所述第一极性为N型；所述铁电调制区域，进一步用于：对所述第二区域产生第二极性掺杂，所述第二极性为P型；所述双极性半导体材料层的所述第一区域为N型区域，所述第二区域为P型区域。

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