复远芯(上海)科技有限公司王锦瑜获国家专利权
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龙图腾网获悉复远芯(上海)科技有限公司申请的专利压电谐振式压力传感器及压力补偿系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222784221U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421474504.2，技术领域涉及：G01L1/16；该实用新型压电谐振式压力传感器及压力补偿系统是由王锦瑜;吴志鹏设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本压电谐振式压力传感器及压力补偿系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种压电谐振式压力传感器及压力补偿系统，涉及电子核心产业中敏感元件及传感器制造技术领域，压电谐振式压力传感器包括：压电组件，直接或间接地与外接电路连接；谐振结构，与压电组件连接，谐振结构具有谐振薄膜；压力敏感结构，设置在谐振薄膜背离压电组件的一侧；压力敏感结构靠近谐振薄膜的一侧开设有至少一个谐振腔，压力敏感结构背离谐振薄膜的一侧开设有压力腔，压力腔接收的压力能够传递至谐振结构上的谐振薄膜；至少一个谐振腔的投影处于压力腔的投影外侧。本申请能够通过谐振结构的谐振频率的变化来检测压力，并且能够使得压电谐振式压力传感器具有更大的承受能力，进而可以具有更大的压力检测范围。
本实用新型压电谐振式压力传感器及压力补偿系统在权利要求书中公布了：1.一种压电谐振式压力传感器，其特征在于，应用于电子核心产业，所述压电谐振式压力传感器包括：压电组件，直接或间接地与外接电路连接；谐振结构，与所述压电组件连接，所述谐振结构具有谐振薄膜；压力敏感结构，设置在所述谐振薄膜背离所述压电组件的一侧；所述压力敏感结构靠近所述谐振薄膜的一侧开设有至少一个谐振腔，所述谐振薄膜封闭或者不封闭至少部分所述谐振腔，所述压力敏感结构背离所述谐振薄膜的一侧开设有压力腔，所述压力腔接收的压力能够传递至所述谐振结构上的所述谐振薄膜；所述压力敏感结构朝向所述压电组件的方向上，至少一个所述谐振腔的投影处于所述压力腔的投影外侧。
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