成都金诺信高科技有限公司黄松获国家专利权
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龙图腾网获悉成都金诺信高科技有限公司申请的专利一种DDR颗粒交叉堆叠布局结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222786239U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421406692.5，技术领域涉及：H10B80/00；该实用新型一种DDR颗粒交叉堆叠布局结构是由黄松;曾迎春;朱敏;任永红;邓意峰设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种DDR颗粒交叉堆叠布局结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种DDR颗粒交叉堆叠布局结构，涉及半导体封装技术领域，包括PCB板、第一DDR内存芯片和第二DDR内存芯片；所述第一DDR内存芯片装焊于PCB板的一面，第二DDR内存芯片为第一DDR内存芯片上下翻转后交叉对贴焊装于PCB板的另一面；第一DDR内存芯片的地址位引脚区域与所述第二DDR内存芯片的数据位引脚区域位于PCB板的同一侧。本实用新型可以有效地减小DDR颗粒的地址互连的长度；有效地增大印制板的空间利用率，保证可以在紧凑的空间中布下更多的器件，同时方便器件的扇出和信号互连。
本实用新型一种DDR颗粒交叉堆叠布局结构在权利要求书中公布了：1.一种DDR颗粒交叉堆叠布局结构，其特征在于：包括PCB板、第一DDR内存芯片和第二DDR内存芯片；所述第一DDR内存芯片装焊于PCB板的一面，第二DDR内存芯片为第一DDR内存芯片上下翻转后交叉对贴焊装于PCB板的另一面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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