恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司李昀佶获国家专利权
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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种集成肖特基二极管的沟槽栅超结碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222786242U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421366367.0，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种集成肖特基二极管的沟槽栅超结碳化硅VDMOS是由李昀佶;张长沙;陈彤;张瑜洁设计研发完成，并于2024-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成肖特基二极管的沟槽栅超结碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种集成肖特基二极管的沟槽栅超结碳化硅VDMOS，包括：漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面，漂移层上设有一掩蔽层；超结结构层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面，超结结构层内侧面连接至漂移层外侧面；接触区下侧面连接至超结结构层上侧面；均流层下侧面连接至漂移层上侧面，均流层外侧面连接至接触区的内侧面；阱区下侧面连接至均流层上侧面；源区下侧面连接至阱区上侧面；栅介质层下侧面连接至掩蔽层，栅介质层外侧面连接至均流层内侧面、阱区内侧面以及源区内侧面；栅介质层内设有沟槽；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接接触区、均流层、阱区以及源区；漏极金属层上侧面连接至碳化硅衬底，提高器件的耐压能力。
本实用新型一种集成肖特基二极管的沟槽栅超结碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种集成肖特基二极管的沟槽栅超结碳化硅VDMOS，其特征在于，包括：碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有一掩蔽层；超结结构层，所述超结结构层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述超结结构层内侧面连接至所述漂移层外侧面；接触区，所述接触区下侧面连接至所述超结结构层上侧面；均流层，所述均流层下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述均流层外侧面连接至所述接触区的内侧面；阱区，所述阱区下侧面连接至所述均流层上侧面；源区，所述源区下侧面连接至所述阱区上侧面；栅介质层，所述栅介质层下侧面连接至所述掩蔽层，所述栅介质层外侧面连接至所述均流层内侧面、阱区内侧面以及源区内侧面；所述栅介质层内设有沟槽；栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内；源极金属层，所述源极金属层分别连接所述接触区、均流层、阱区以及源区；以及，漏极金属层，所述漏极金属层上侧面连接至所述碳化硅衬底。
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