恭喜通威太阳能(眉山)有限公司任莉获国家专利权
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龙图腾网恭喜通威太阳能(眉山)有限公司申请的专利一种钝化接触结构、太阳电池及光伏组件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222786263U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421174976.6,技术领域涉及:H10F77/20;该实用新型一种钝化接触结构、太阳电池及光伏组件是由任莉;黄智;李忠涌设计研发完成,并于2024-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钝化接触结构、太阳电池及光伏组件在说明书摘要公布了:本申请涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种钝化接触结构、太阳电池及光伏组件。该钝化接触结构包括:介质层,介质层的厚度为1.20nm~1.40nm;设在介质层上的掺杂层,该掺杂层包括沿背离介质层的方向依次设置的第一掺杂多晶硅层、氧化硅层和第二掺杂多晶硅层,其中,第一掺杂多晶硅层的厚度为20nm~40nm,氧化硅层的厚度为1.0nm~2.0nm,第二掺杂多晶硅层的厚度为80nm~100nm。该钝化接触结构能够有效缓解太阳电池爆膜现象,提升太阳电池性能。
本实用新型一种钝化接触结构、太阳电池及光伏组件在权利要求书中公布了:1.一种钝化接触结构,其特征在于,所述钝化接触结构包括:介质层,所述介质层的厚度为1.20nm~1.40nm;设在所述介质层上的掺杂层,所述掺杂层包括沿背离所述介质层的方向依次设置的第一掺杂多晶硅层、氧化硅层和第二掺杂多晶硅层;其中,所述第一掺杂多晶硅层的厚度为20nm~40nm,所述氧化硅层的厚度为1.0nm~2.0nm,所述第二掺杂多晶硅层的厚度为80nm~100nm。
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