恭喜台湾积体电路制造股份有限公司高韵峯获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利反相器电路及半导体电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222786243U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421118627.2，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型反相器电路及半导体电路是由高韵峯;姜慧如设计研发完成，并于2024-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本反相器电路及半导体电路在说明书摘要公布了：一种反相器电路包括：电性绝缘结构，具有包括第一表面及第二表面的平板几何形状，第一表面与第二表面彼此平行且各自定向于垂直于厚度方向的相应平面中；p型半导体层，形成于第一表面上；n型半导体层，形成于第二表面上；栅极介电层，形成为与p型半导体层及n型半导体层接触；栅极电极，形成为与栅极介电层接触；第一源极电极及第一漏极电极，形成为与p型半导体层接触；以及第二源极电极及第二漏极电极，形成为与n型半导体层接触。反相器电路可连接至电压源、接地电压端子、输入讯号端子及输出讯号端子，以作为反相器操作。
本实用新型反相器电路及半导体电路在权利要求书中公布了：1.一种反相器电路，其特征在于，包括：电性绝缘结构，具有包括第一表面及第二表面的平板几何形状，所述第一表面与所述第二表面彼此平行且各自定向于垂直于厚度方向的相应平面中；p型半导体层，形成于所述第一表面上；n型半导体层，形成于所述第二表面上；栅极介电层，形成为与所述p型半导体层及所述n型半导体层接触；栅极电极，形成为与所述栅极介电层接触；第一源极电极及第一漏极电极，形成为与所述p型半导体层接触；以及第二源极电极及第二漏极电极，形成为与所述n型半导体层接触，其中所述第一源极电极电性连接至电压源，并且所述第二源极电极电性连接至接地电压端子，其中所述栅极电极电性连接至输入讯号端子，并且其中所述第一漏极电极及所述第二漏极电极电性连接至输出讯号端子。
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