买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜深圳技术大学申请的专利一种量子点转印方法及QLED制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118574481B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410569051.X，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种量子点转印方法及QLED制备方法是由吴永伟;黄子闻设计研发完成，并于2024-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种量子点转印方法及QLED制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种量子点转印方法及QLED制备方法，该转印方法包括：对第一量子点进行水处理和加热处理，得到难溶于极性与非极性溶剂的第二量子点；其中，所述第一量子点具有第一配体，第二量子点具有第二配体；将所述第一量子点制成第一薄膜，以及将所述第二量子点制成第二薄膜；通过转印头对所述第二薄膜进行第一次蘸取，并在第一次蘸取完成后继续对所述第一薄膜进行第二次蘸取；利用蘸取有第一薄膜和第二薄膜的转印头对受转印的基板进行印制。本发明将两种具有不同性质配体的量子点同时蘸取到转印头上，如此可以减少转印不同量子点所需的工艺步骤，为印制QLED‑倒置QLED或多色QLED层提供了一种更简便的方法，同时还可以降低QLED印制成本。

本发明授权一种量子点转印方法及QLED制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点转印方法，其特征在于，包括：对第一量子点进行水处理和加热处理，得到难溶于极性与非极性溶剂的第二量子点；其中，所述第一量子点具有第一配体，第二量子点具有第二配体；所述第一配体为油酸配体，所述第二配体为羟基配体；将所述第一量子点制成第一薄膜，以及将所述第二量子点制成第二薄膜；通过转印头对所述第二薄膜进行第一次蘸取，并在第一次蘸取完成后继续对所述第一薄膜进行第二次蘸取；利用蘸取有第一薄膜和第二薄膜的转印头对受转印的基板进行印制；所述对第一量子点进行水处理和加热处理，得到难溶于极性与非极性溶剂的第二量子点，包括：按照下式，对所述对第一量子点进行水处理，得到所述第二量子点：QD-C18H34O2+H2O＝QD-OH+C18H35O2其中，QD-C18H34O2表示具有油酸配体的第一量子点，QD-OH表示具有羟基配体的第二量子点，H2O为水，C18H35O2为聚乙二醇硬脂酸酯。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳技术大学，其通讯地址为：518000 广东省深圳市坪山区石井街道兰田路3002号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。