恭喜深圳众诚达应用材料股份有限公司周贤界获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳众诚达应用材料股份有限公司申请的专利一种反应等离子体沉积镀膜用的ICO靶材及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118621276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410563896.8，技术领域涉及：C23C14/32；该发明授权一种反应等离子体沉积镀膜用的ICO靶材及其制备方法是由周贤界;徐红星;卢晓鹏;黄勇彪设计研发完成，并于2024-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种反应等离子体沉积镀膜用的ICO靶材及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种反应等离子体沉积镀膜用的ICO靶材及其制备方法，属于靶材制备技术领域。该ICO靶材包含In、Ce以及X的氧化物，所述In、Ce、X的原子比为95～991～50.001～0.5；其中，所述X选自除Ce以外的镧系稀土元素中的至少一种；所述ICO靶材具有疏松多孔结构，并且相对密度为55～65％。本发明ICO靶材通过共掺杂铈和其他镧系稀土元素，可以显著提升ICO靶材制备的透明导电氧化物薄膜的迁移率和平均透过率。因此，本发明提供的ICO靶材可以兼具透光性好和电导率高。
本发明授权一种反应等离子体沉积镀膜用的ICO靶材及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种反应等离子体沉积镀膜用的ICO靶材，其特征在于，包含In、Ce以及X的氧化物，所述In、Ce、X的原子比为（95~99）（1~5）（0.001~0.5）；其中，所述X选自除Ce以外的镧系稀土元素中的至少一种；所述ICO靶材具有疏松多孔结构，并且相对密度为55~65%；所述ICO靶材由掺杂X的氧化铟粉和氧化铟铈粉烧结而成；制备所述掺杂X的氧化铟粉的步骤包括：将铟盐、X盐和沉淀剂溶于溶剂中，形成混合溶液；将所述混合溶液转移至反应釜中，进行水热反应处理，然后依次进行固液分离、洗涤、干燥和第一煅烧处理，得到掺杂X的氧化铟粉。
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